研究業績（1994年）

オリジナル論文

• H. Sakamoto, Y. Takakuwa, T. Hori, T. Horie, and N. Miyamoto
  First-order isothermal desorption kinetics of chlorine on SiH₂Cl₂-adsorbed Si(100) surface
  Applied Surface Science , 75, (1994), 27-32.
  
• Y. Takakuwa, T. Yamaguchi, and N. Miyamoto
  Si dangling bonds on Si(100) surface during gas-source molecular beam epitaxy with Si₂H₆
  Journal of Crystal Growth , 136, (1994), 328-332.
  
• T. Horie, Y. Takakuwa, T. Yamaguchi, and N. Miyamoto
  Hydrogen desorption rate and surface hydrogen coverage during isothermal annealing for Si₂H₆-adsorbed Si(100) surfaces
  Journal of Crystal growth , 136, (1994), 344-348.
• Y. Takakuwa, Y. Enta, T. Yamaguchi, T. Hori, M. Niwano, N. Miyamoto, H. Ishida, H. Sakamoto, T. Nishimori, and H. Kato
  Photoelectron intensity oscillation during chemical vapor deposition on Si(100) surface with Si₂H₆
  Applied Physics Letters , 64, (1994), 2013-2015.
  
• Y. Enta, T. Horie, N. Miyamoto, Y. Takakuwa, H. Sakamoto, and H. Kato
  Origin of surface-state photoemission intensity oscillation during Si epitaxial growth on Si(100) surface
  Surface Science , 313, (1994), L797-L800.
  
• Y. Takakuwa, M. Nihei, T. Horie, and N. Miyamoto
  Thermal oxidation mechanism based on formation and diffusion of volatile SiO molecules
  Journal of Non-Crystalline Solids , 179, (1994), 345-353.
• T. Horie, Y. Takakuwa, and N. Miyamoto
  Two-dimensional growth and decomposition of initial thermal SiO₂ layer on Si(100)
  Japanese Journal of Applied Physics , 33, (1994), 4684-4690.
• Y. Takakuwa, M. K. Mazumder, and N. Miyamoto
  Growth defect observation with pyramidal hillock and reduction by photoexcited hydrogen in Si CVD with SiH₂Cl₂
  Journal of the Electrochemical Society , 141, (1994), 2567-2572.
  
• H. W. Yeom, T. Abukawa, Y. Takakuwa, M. Nakamura, M. Kimura, A. Kakizaki, and S. Kono
  Surface electronic structure of single-domain Si(001)2x2-Al: an angle-resolved photoelectron spectroscopy study using synchrotron radiation
  Surface Science, 321, (1994), L177-L182.
  
• Y. Enta, N. Miyamoto, Y. Takakuwa, and H. Kato
  Photoelectron intensity oscillation as a probe to monitor Si layer-by-layer growth
  Applied Surface Science , 82/83, (1994), 327-331.

総説・解説

• 高桑雄二，宮本信雄
  放射光励起Siガスソース分子線エピタキシーにおける表面反応素過程の「その場」観察
  放射光, 7, (1994), 215-237.
  

国際会議抄録

国内会議抄録

研究報告書など

学会発表

国内学会

• 高桑雄二
  Si表面上での放射光励起光反応素過程の研究
  PF-BL11のスクラップ＆ビルドに関する研究会, 高エネルギー物理学研究所, 筑波 (1994.3).
  
• 高桑雄二
  高温Si表面の光電子分光
  ワークショップ「PFリング高輝度化・ビームライン再構築に対応したVUV・SX領域における新しい研究の展望」, 高エネルギー物理学研究所, 筑波 (1994.9).
  

• 末光真希，堀江哲弘，高桑雄二，宮本信雄
  Si熱酸化膜形成／分解過程のUPSによるその場観察
  第14回超微細電子工学研究会, 東北大学, 仙台 (1994.3).
  
• 遠田義晴，高桑雄二，堀江哲弘，坂本仁志，加藤博雄，宮本信雄
  Si/Si(100)MBE成長中のUPS強度振動の起源(I)；表面再配列と振動の位相
  第41回応用物理学関係連合講演会, 明治大学, 川崎 (1994.3).
  
• 遠田義晴，高桑雄二，加藤博雄，宮本信雄
  Si/Si(100)MBE成長中のUPS強度振動の起源(II)；表面準位の偏光依存
  第41回応用物理学関係連合講演会, 明治大学, 川崎 (1994.3).
  
• 遠田義晴，高桑雄二，加藤博雄，宮本信雄
  UPS強度振動からみたSi(100)表面準位
  第41回応用物理学関係連合講演会, 明治大学, 川崎 (1994.3).
  
• 高桑雄二，遠田義晴，山口哲二，堀仁一，坂本仁志，石田博之，加藤博雄，宮本信雄
  Si-GSMBE成長における成長速度と表面水素被覆率の同時測定
  第41回応用物理学関係連合講演会, 明治大学, 川崎 (1994.3).
  
• H.W. Yeom，虻川匡司，高桑雄二，中村真之，木村慎之，柿崎明人，河野省三
  Surface electronic structure of single-domain Si(001)2x2-Al; an angle-resolved photoelectron spectroscopy study using synchrotron radiation
  第14回表面科学講演大会, 早稲田大学, 東京 (1994.12).
  
• H.W. Yeom，虻川匡司，高桑雄二，中村真之，木村慎之，柿崎明人，河野省三
  Surface electronic structure of single-domain Si(001)2x2-Al; an angle-resolved photoelectron spectroscopy study using synchrotron radiation
  平成6年度東北大学科学計測研究所秋季研究発表会, 東北大学, 仙台(1994.12）.
  

国際会議

• Y. Enta, N. Miyamoto, Y. Takakuwa, and H. Kato
  Photoelectron intensity oscillation as a probe to monitor Si layer-by-layer growth
  3rd International Symposium on Atomic Layer Epitaxy and Related Surface Processes, Sendai, Japan　（1994.5）.