東北大学多元研 高桑研究室 本文へジャンプ

研究業績(1995年)


オリジナル論文


  • H. W. Yeom, T. Abukawa, Y. Takakuwa, M. Nakamura, M. Kimura, A. Kakizaki, S. Suzuki, S. Sato, and S. Kono
    Initial stage growth and electronic structure of Al overlayer on a single-domain Si(100)2x1 surface
    Journal of The Surface Science Society of Japan, 16, 441-447 (1995).
  • T. Nishimori, H. Sakamoto, Y. Takakuwa and S. Kono
    Diamond epitaxial growth by gas-source molecular beam epitaxy with pure methane
    Japanese Journal of Applied Physics, 34, L1297-L1300 (1995).
  • M. K. Mazumder, Y. Mashiko, H. Koyama, Y. Takakuwa and N. Miyamoto
    Variation of size and density of pyramidal hillock during epitaxial growth of silicon using dichlorosilane gas
    Journal of the Electrochemical Society, 142, 3956-3961 (1995).
  • T. Nishimori, H. Sakamoto, Y. Takakuwa and S. Kono
    Methane adsorption and hydrogen isothermal desorption kinetics on a C(100)-(1x1) surface
    Journal of Vacuum Science & Technology, A13, 2781-2786 (1995).
  • M. K. Mazumder, Y. Mashiko, H. Koyama, Y. Takakuwa and N. Miyamoto
    Generation kinetics of pyramidal hillock and crystallographic defect on Si(111) vicinal surfaces grown with SiH2Cl2
    Journal of Crystal Growth, 155, 183-192 (1995).


総説・解説


  • 高桑雄二
    原子層エッチングと表面反応
    表面科学, 16, 373-377 (1995).
  • 遠田義晴,宮本信雄,高桑雄二,加藤博雄
    Si/Si(100)エピタキシャル成長中の光電子強度振動現象
    Photon Factory ニュース, 13, 21-27 (1995.12.3).


国際会議抄録




国内会議抄録


  • 高桑雄二
    放射光励起表面反応の「その場」観察
    『半導体プロセスにおける表面化学反応』研究会, 東北大学電気通信研究所, 仙台 (1995.1).
  • 高桑雄二,遠田義晴,宮本信雄
    放射光励起表面反応のその場観察
    第33回通研シンポジウム「光・プラズマ表面反応励起過程」, 27-36, 東北大学工学部青葉記念会館, 仙台 (1995.12.1).


研究報告書など




学会発表


国内学会


招待
  • 高桑雄二
    放射光励起表面反応の「その場」観察
    電気通信研究所『半導体プロセスにおける表面化学反応』研究会, 東北大学, 仙台 (1995.1).
  • 高桑雄二
    放射光励起プロセスのその場観察
    分子研研究会「極紫外光プロセスの基礎」, 分子科学研究所, 岡崎 (1995.8.3).
  • 高桑雄二
    放射光励起表面反応のその場観察
    第33回通研シンポジウム「光・プラズマ表面反応励起過程」, 東北大学工学部青葉記念会館, 仙台 (1995.12).

一般
  • H.W. Yeom,虻川匡司,高桑雄二,中村真之,木村慎之,柿崎明人,河野省三
    シングルドメインSi(001)2x2-Al表面の電子構造研究
    第8回日本放射光学会・放射光科学合同シンポジウム, 高エネルギー物理学研究所, 筑波 (1995.1).
  • 遠田義晴,高桑雄二,加藤博雄,宮本信雄
    Si/Si(100)成長中の光電子強度振動の起源
    第8回日本放射光学会 放射光科学合同シンポジウム, 高エネルギー物理学研究所, 筑波 (1995.1).
  • 遠田義晴,竹川陽一,庄司大生,高桑雄二,加藤博雄,宮本信雄
    Si/Si(100)成長中のUPS強度振動の起源(III)
    第42回応用物理学関係連合講演会, 東海大学, 平塚 (1995.3).
  • 西森年彦,坂本仁志,高桑雄二,河野省三
    メタンのみを用いたガスソースMBEによるダイヤモンド単結晶成長
    第56回応用物理学会学術講演会, 東洋大学朝霞校舎, 朝霞 (1995.3).
  • K.S. Kim, Y. Takakuwa, Y. Mori, and S. Kono
    RHEED-AES observation of Bi desorption on a single-domain Si(001)2x1 surface
    日本物理学会1996年秋の分科会, 金沢工業大学, 野々市町, 石川 (1995.8.26).
  • 西森年彦,坂本仁志,高桑雄二,河野省三
    ガスソースMBE法によるダイヤモンド単結晶薄膜成長
    平成7年度東北大学科学計測研究所秋季研究発表会, 東北大学, 仙台 (1995.12.14).

国際会議


招待
  • Y. Takakuwa
    Two-dimensional growth and decomposition of initial thermal SiO2 layers on Si(100) surfaces
    The 6th Korea-Japan Joint Symposium on Surface Science & Solid State Chemistry, Taejon, Korea, (1995.2).
  • Y. Takakuwa
    In-situ UPS observations of epitaxial growth, etching and oxidation reactions on Si surfaces at high temperatures under a reactive gas atmosphere
    The 1995 Winter Meeting of the Korean Vacuum Society, Suwan, Korea (1995.2).

一般
  • R. Kosugi, S. Fujita, Y. Takakuwa, J. Tani, N. Miyamoto, and Y. Yamazaki
    Analyzing method of surface structures by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS)
    The Second International Conference on Grain Growth in Polycrystalline Materials (ICGG-II), Kitakyushu-Yahata Royal Hotel, Kitakyushu, Japan (1995.5).
  • H.W. Yeom, T. Abukawa, Y. Takakuwa, M. Nakamura, M. Kimura, T. Shimatani, Y. Mori, A. Kakizaki, and S. Kono
    An angle-resolved photoelectron spectroscopy study of the electronic structure of Si(001)2x2-Al and 2x2-In surfaces
    The 11th International Conference on Vacuum Ultraviolet Radiation Physics, Rikkyo University, Tokyo, Japan (1995.8.27-1995.9.1).
  • X. Chen, H.W. Yeom, T. Abukawa, Y. Takakuwa, T. Shimatani, Y. Mori, A. Kakizaki, and S. Kono
    Multiple scattering study of synchrotron radiation photoelectron diffraction from Si(001)2x2-In surface
    The 11th International Conference on Vacuum Ultraviolet Radiation Physics, Rikkyo University, Tokyo, Japan (1995.8.27-1995.9.1).
  • Y. Enta, Y. Takegawa, D. Shoji, N. Miyamoto, Y. Takakuwa, and H. Kato
    Band-dispersion-originated photoelectron intensity oscillations during Si epitaxial growth on Si(100)2X1 surface
    The 11th International Conference on Vacuum Ultraviolet Radiation Physics, Rikkyo University, Tokyo, Japan (1995.8.27-1995.9.1).
  • H. Sakamoto, Y. Takakuwa, T. Hori, T. Horie, M. Suemitsu, and N. Miyamoto
    Kinetics of dissociative adsorption of dichlorosilane on Si(100)2x1
    The 3rd International Conference on Atomically Controlled Surfaces and Interfaces, USA (1995.10).