東北大学多元研 高桑研究室 本文へジャンプ

研究業績(1998年)


オリジナル論文


  • H. W. Yeom, T. Abukawa, Y. Takakuwa, S. Fujimori, T. Okane, Y. Ogura, T. Miura, S. Sato, A. Kakizaki, S. Kono
    Anisotropy of spin-orbit branching ratio in angle-resolved photoemission from adsorbate layers
    Surface Science, 395, L236-L241 (1998).
  • K.S. Kim, Y. Takakuwa, T. Abukawa, S. Kono
    RHEED-AES observation of Sb surface segregation during Sb-mediated Si MBE on Si(001)
    Journal of Crystal Growth, 186, 95-103 (1998).
  • F. Shimoshikiryo, Y. Takakuwa and N. Miyamoto
    Observation of dimer dangling bonds on a Si(001)2x1 surface by grazing-incidence reflection high energy electron diffraction and Auger electron spectroscopy
    Applied Surface Science, 130-132, 123-127 (1998).
  • Y. Takakuwa, T. Yamaguchi, T. Hori, T. Horie, Y. Enta, H. Sakamoto, H. Kato, N. Miyamoto
    In situ observation of thermal and photon-induced reactions on Si surfaces by ultraviolet photoelectron spectroscopy
    Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, 88-91, 747-756 (1998).
  • R. Kosugi, S. Sumitani, T. Abukawa, Y. Takakuwa, S. Suzuki, S. Sato, S. Kono
    X-ray photoelectron diffraction study of Si(001)c(4x4)-C surface
    Surface Science , 412/413, 125-131 (1998).
  • K.S. Kim, Y. Takakuwa, T. Abukawa, S. Kono
    RHEED-AES observation of In desorption on a single-domain Si(001)2x1 surface
    Surface Science , 410, 99-105 (1998).
  • T. Nishimori, J. Utsumi, H. Sakamoto, Y. Takakuwa, S. Kono
    Growth of n-type diamond with high conductivity by gas-source molecular beam epitaxy and its application
    Diamond Films and Technology, 8, 323-330 (1998).
  • T. Abukawa, T. Shimatani, M. Kimura, Y. Takakuwa, N. Muramatsu, T. Hanano. T. Goto, W. R. A. Huff, S. Kono
    Dimer structure of clean Si(001) surface studied by grazing-incidence back-scattering MEED
    Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, 88-91, 533-538 (1998).


総説・解説


  • 西森年彦,坂本仁志,高桑雄二
    ガスソース分子線エピタキシーによるダイヤモンド成長
    NEW DIAMOND, 14, 2-7 (1998).
  • 高桑雄二,遠田義晴,坂本仁志,宮本信雄
    シリコン気相成長中の表面電子状態
    日本物理学会誌, 53, 758-766 (1998).
  • 遠田義晴,高桑雄二,宮本信雄
    シリコンMBE成長中の光電子分光強度振動
    放射光, 11, 351-360 (1998).


著書


  • 高桑雄二
    光電子分光法による半導体プロセスの高温「その場」観察
    尾嶋正治、太田俊明、神谷幸秀編著:“高輝度放射光がめざす戦略的応用研究-Technology Vision SR 2010-”(共著), (東京大学VSX高輝度光源利用者懇談会, 1998年) 61-86.


国際会議抄録




国内会議抄録


  • 高桑雄二
    光電子分光法による半導体プロセスの高温「その場」観察
    「高輝度放射光がめざす戦略的応用研究」シンポジウム, (1998年3月6-7日、東京大学物性研究所、東京) 61-86.


研究報告書など




国際会議プロシーディングス




学会発表


国内学会


招待
  • 高桑雄二
    光電子分光法による半導体プロセスの高温
    「高輝度放射光がめざす戦略的応用研究」シンポジウム, 日本, 柏市 (1998.3.9-1998.3.10).

一般
  • 小杉亮治,高桑雄二,金起先,虻川匡司,河野省三
    RHEED-AESによるSi(001)表面の炭化反応の「その場」観察
    日本表面科学会東北支部講演会, 日本, 郡山市 (1998.3.5-1998.3.6 ).
  • 河野省三,後藤忠彦,高桑雄二,虻川匡司,八木弘雅,伊藤利道
    CVD成長ダイヤモンド単結晶表面の構造と2次電子放出
    第45回応用物理関係連合講演会, 日本, 東京 (1998.3).
  • 小杉亮治,高桑雄二,金起先,虻川匡司,河野省三
    高温Si(001)表面における炭化反応のRHEED-AES「その場」観察
    日本物理学会第53回年会, 日本, 習志野市 (1998.3).
  • 高桑雄二,M. K. Mazumder,宮本信雄
    Si気相成長における結晶欠陥発生と表面反応
    日本物理学会第53回年会, 日本, 習志野市 (1998.3).
  • 高桑雄二
    負性電子親和力を用いたダイヤモンド気相成長の自己励起素過程
    科学技術振興事業団さきがけ研究21 第8回「場と反応」領域会議, 日本, 葉山 (1998.5).
  • 虻川匡司,花野太一,C.M. Wei,村松夏弘,島谷高志,木村慎之,後藤忠彦,高桑雄二,河野省三
    斜入射後方散乱中速電子回折法の開発
    平成10年度東北大学科学計測研究所春季研究発表会, 日本, 仙台市 (1998.6).
  • 西森年彦,坂本仁志,高桑雄二
    ダイヤモンドC(001)表面でのトリ-n-ブチルフォスフィンの表面反応素過程
    第59回応用物理学会学術講演会, 日本 ,広島市 (1998.9).
  • 高桑雄二,堀江哲弘,宮本信雄
    Si熱酸化におけるSiO2成長とSiO脱離の臨界条件の比較
    第59回応用物理学会学術講演会, 日本, 広島市 (1998.9).
  • 高桑雄二,二瓶瑞久,宮本信雄
    真空とO2雰囲気中で加熱処理したSiO2膜の構造欠陥
    第59回応用物理学会学術講演会, 日本, 広島市 (1998.9).
  • 高桑雄二,二瓶瑞久,堀江哲弘,宮本信雄
    Si熱酸化の反応モデル:分解と再酸化の役割
    第59回応用物理学会学術講演会, 日本, 広島市 (1998.9).
  • 下村勝,西森年彦,虻川匡司,高桑雄二,坂本仁志,河野省三
    燐ドープn型ダイヤモンド薄膜のXPDとAFMによる結晶性評価
    第59回応用物理学会学術講演会, 日本, 広島市 (1998.9).
  • 虻川匡司,C. M. Wei,花野太一,高桑雄二,河野省三
    電子熱散漫散乱による新しい表面構造解析法
    日本物理学会1998年秋の分科会, 日本, 那覇市 (1998.9).
  • 金井千里,渡辺一之,高桑雄二
    ダイヤモンドC(100)表面における水素分子の解離吸着に関する第一原理計算
    日本物理学会1998年秋の分科会, 日本, 那覇市 (1998.9).
  • 高桑雄二,疋田智弘,浅野光弘,小杉亮治,佐野正浩,須山智史
    ダイヤモンド気相成長の「その場」観察のための複合表面解析装置の製作
    第39回真空に関する連合講演会, 日本, 大阪 (1998.11).
  • 河野省三,後藤忠彦,虻川匡司,高桑雄二,八木弘雅,伊藤利道
    CVDダイヤモンド単結晶表面の構造と2次電子放出特性
    第12回ダイヤモンドシンポジウム, 日本, 東京 (1998.11).
  • 下村勝,西森年彦,虻川匡司,高桑雄二,坂本仁志,河野省三
    燐ドープn型ダイヤモンド薄膜の結晶性評価
    第12回ダイヤモンドシンポジウム, 日本, 東京 (1998.11).
  • 石田史顕,高桑雄二,小杉亮治,虻川匡司,河野省三
    RHEED-AESによるSi熱酸化膜の形成・分解過程の「その場」観察
    日本表面科学会東北支部講演会, 日本, 仙台 (1998.11).
  • 虻川匡司,花野太一,高桑雄二,河野省三,C.M. Wei
    熱散漫散乱による表面構造解析
    日本表面科学会東北支部講演会, 日本, 仙台 (1998.11).
  • 虻川匡司,花野太一,高桑雄二,河野省三,C. M. Wei
    散漫散乱パターソン解析による表面構造の研究
    第18回表面科学講演大会, 日本, 東京 (1998.12).
  • 石田史顕,高桑雄二,小杉亮治,虻川匡司,河野省三
    初期Si熱酸化膜の形成・分解過程のリアルタイムモニタリング
    平成10年度東北大学科学計測研究所秋季発表会, 日本, 仙台 (1998.12).
  • 下村勝,西森年彦,虻川匡司,高桑雄二,坂本仁志,河野省三
    燐ドープn型ダイヤモンド薄膜の結晶性評価
    平成10年度東北大学科学計測研究所秋季発表会, 日本, 仙台 (1998.12).
  • 河野省三,後藤忠彦,虻川匡司,高桑雄二,八木弘雅,伊藤利道
    CVDダイヤモンド単結晶表面の構造と2次電子放出特性
    平成10年度東北大学科学計測研究所秋季発表会, 日本, 仙台 (1998.12).

国際会議


招待
  • T. Nishimori, J. Utsumi, H. Sakamoto, Y. Takakuwa, S. Kono
    n-type high-conductive diamond growth by gas source molecular beam epitaxy and its application
    2nd International Symposium on Diamond Electronics Devices , Japan, Osaka (1998.3.9-1998.3.10).
  • Y. Takakuwa
    Surface dynamics on high-temperature Si surfaces under high-pressure reactive gases studied by UPS
    The 12th International Conference on Vacuum Ultraviolet Radiation Physics, USA, San Fransisco (1998.8.3-1998.8.7).
  • Y. Takakuwa
    In situ observation of the surface electronic states during Si gas source molecular beam epitaxy
    The Second International Conference on Synchrotron Radiation in Material Science, Japan, Kobe (1998.10.31-1998.11.3).

一般
  • S. Kono, T. Goto, Y. Takakuwa, T. Abukawa, H. Yagi, T. Ito
    Structure and secondary electron emission of CVD diamond single-crystal surfaces
    2nd International Symposium on Diamond Electronics Devices , Japan, Osaka (1998.3.9-1998.3.10).
  • R. Kosugi, T. Abukawa, M. Shimomura, S. Sumitani, H. W. Yeom, T. Hanano, K. Tono, S. Suzuki, S. Sato, T. Ota, S. Kono, Y. Takakuwa
    Photoelectron diffraction study of Si(001)c(4x4)-C surface
    The 12th International Conference on Vacuum Ultraviolet Radiation Physics, USA, San Fransisco (1998.8.3-1998.8.7).
  • R. Kosugi, T. Abukawa, M. Shimomura, S. Sumitani, H. W. Yeom, T. Hanano, K. Tono, S. Suzuki, S. Sato, T. Ota, S. Kono, Y. Takakuwa
    Photoelectron diffraction study of Si(001)c(4x4)-C surface
    The 12th International Conference on Vacuum Ultraviolet Radiation Physics, USA, San Fransisco (1998.8.3-1998.8.7).
  • T. Hori, H. Sakamoto, Y. Takakuwa, Y. Enta, H. Kato and N. Miyamoto
    In situ observation of high-temperature Si(001) surface during SiH2Cl2 exposure by photoelectron spectroscopy
    14th International Vacuum Congress, UK, Birmingham (1998.8.31-1998.9.4).



学術関係受賞