東北大学多元研 高桑研究室 本文へジャンプ

研究業績(1999年)


オリジナル論文


  • R. Kosugi, Y. Takakuwa, K.S. Kim, T. Abukawa, S. Kono
    Real-time monitoring of Si carbonization process by a combined method of reflection high-energy electron diffraction and Auger electron spectroscopy
    Applied Physics Letters, 74, 3939-3941 (1999).
  • C. Kanai, K. Watanabe, Y. Takakuwa
    Ab initio study of hydrogen desorption from diamond C(100) surfaces
    Japanese Journal of Applied Physics, 38, L783-L785 (1999).
  • R. Kosugi, T. Abukawa, M. Shimomura, S. Sumitani, H. W. Yeom, T. Hanano, K. Tono, S. Suzuki, S. Sato, T. Ohta, S. Kono, Y. Takakuwa
    Photoelectron diffraction study of Si(001)c(4×4)-C surface
    Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, 101, 239-243 (1999).
  • Y. Takakuwa
    Surface dynamics on a high-temperature Si surface under a high-pressure reactive gas atmosphere studied by time-resolved UPS
    Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, 101-103, 211-221 (1999).
  • R. Kosugi, Y. Takakuwa, S. Kono
    Reply to "Comment on 'X-ray photoelectron diffraction study of Si(001)c(4x4)-C surface' by Kosugi et al." [Surf. Sci. 412/413 (1998) 125]
    Surface Science, 436, 271-272 (1999).
  • T. Hori, H. Sakamoto, Y. Takakuwa, Y. Enta, H. Kato, N. Miyamoto
    In situ observation of a high-temperature Si(001) surface during SiH2Cl2 exposure by photoelectron spectroscopy
    Thin Solid Films, 343-344, 354-360 (1999).


総説・解説


  • 高桑雄二
    ダイヤモンドを光でつくる
    まなびの杜, 9, 3 (1999)
  • 高桑雄二, 二瓶瑞久, 堀江哲弘, 宮本信雄
    Si熱酸化の統合反応モデル
    応用物理学会薄膜・表面物理分科会 NEWS LETTER, 107, 20-357 (1999)


国内会議抄録


  • 高桑雄二
    ダイヤモンドを光でつくる
    科学技術振興事業団さきがけ研究21「場と反応」領域’99東京研究報告会 講演要旨集, (1999年11月25日、東京ガーデンパレス、東京) 15-26.
  • 高桑雄二
    放射光光電子分光法による表面動的過程の「その場」観察
    電気学会東京支部連合講演会「SRによる超微細加工(マイクロマシン・ナノ構造体の製作/評価技術)」, (1999年9月8日、早稲田大学、東京)、光・量子デバイス研究会資料 OQD-99-44 , (1999) 23-28.
  • 高桑雄二,二瓶瑞久,堀江哲弘,宮本信雄
    Si熱酸化の統合反応モデル
    応用物理学会薄膜・表面分科会、「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」第4回研究会, (1999年1月、NTT御殿場経営研修所、御殿場) 99-111.


学会発表


国内学会


招待
  • 高桑雄二,二瓶瑞久,堀江哲弘,宮本信雄
    Si熱酸化の統合反応モデル
    「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」第4回研究会, 日本, 御殿場 (1999.1).
  • 高桑雄二
    ダイヤモンド気相成長の自己励起制御
    さきがけ研究21「場と反応」領域会議分科会『量子制御』, 日本, 占冠村 (1999.6.25-1999.6.27).
  • 高桑雄二
    Si熱酸化における膜成長と構造欠陥発生の統合的理解に向けて
    日本学術振興会第五回「超高純度材料における表面安定化と初期酸化」に関する研究開発専門委員会, 日本, 仙台 (1999.7.16).
  • 高桑雄二
    半導体界面高温反応場の光電子分光解析
    第60回応用物理学会学術講演会, 日本, 神戸 (1999.9.1-1999.9.4).
  • 高桑雄二
    放射光光電子分光法による表面動的過程の「その場」観察
    電気学会東京支部連合講演会「SRによる超微細加工(マイクロマシン・ナノ構造体の製作/評価技術), 日本, 東京 (1999.9.8).
  • 遠田義晴,末光真希,庭野道夫,高桑雄二,宮本信雄
    高輝度放射光によるリアルタイム光電子分光:半導体表面反応のその場観察
    日本物理学会1999年秋の分科会, 日本, 盛岡 (1999.9.24-1999.9.27).
  • 高桑雄二
    Si熱酸化とは何か?
    電子技術総合研究所講演会, 日本, 筑波 (1999.9.29).
  • 高桑雄二
    Si熱酸化の物理的描像の革新
    金属学会東北支部講演会, 日本, 仙台 (1999.10.15).
  • 高桑雄二
    ダイヤモンドを光でつくる
    科学技術振興事業団さきがけ研究21「場と反応」領域 ’99東京研究報告会, 日本, 東京 (1999.11).
  • 高桑雄二
    ダイヤモンドを光でつくる
    科学技術振興事業団さきがけ研究21「場と反応」領域 ’99大阪研究報告会, 日本, 大阪 (1999.11).
  • 高桑雄二
    ダイヤモンド薄膜成長
    東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究B-02「環境共生型量子反応制御プロセスに関する研究」 『環境共生型量子反応制御プロセスの基礎と応用』, 日本, 仙台 (1999.12.17-1999.12.18).
  • 高桑雄二
    Si熱酸化の物理的描像の革新
    電子技術総合研究所インフォーマルミーティング, 日本, 筑波 (1999.12.24).
一般
  • 石田史顕,高桑雄二,小杉亮治,虻川匡司,河野省三
    RHEED-AES法によるSi(001)表面の熱酸化過程の「その場」観察
    第46回応用物理学関係連合講演会, 日本, 野田 (1999.3.28-1999.3.31).
  • 金井千里,渡辺一之,高桑雄二
    ダイヤモンドC(001)表面における水素分子の会合脱離に関する第一原理計算
    第46回応用物理学関係連合講演会, 日本, 野田 (1999.3.28-1999.3.31).
  • 高桑雄二,堀江哲弘,宮本信雄
    初期Si酸化膜の成長・分解速度のSi(001)基板のオフ角度依存
    第46回応用物理学関係連合講演会, 日本, 野田 (1999.3.28-1999.3.31).
  • 石田史顕,高桑雄二,小杉亮治,虻川匡司,河野省三
    初期Si酸化膜の分解過程のRHEED-AES法による「その場」観察
    第46回応用物理学関係連合講演会, 日本, 野田 (1999.3.28-1999.3.31).
  • 高桑雄二
    負性電子親和力を用いたダイヤモンド気相成長の自己励起素過程
    科学技術振興事業団さきがけ研究21  第11回「場と反応」領域会議, 日本, 葉山 (1999.5.14-1999.5.16).
  • 浅野光宏,安田智樹,高桑雄二,河野省三,竹内大輔,大串秀世
    ダイヤモンドC(001)表面への水素分子吸着過程の「その場」観察
    平成11年度東北大学科学計測研究所春季研究発表会, 日本, 仙台 (1999.6.4).
  • 小杉亮治,下村勝,虻川匡司,福田安生,河野省三,高桑雄二
    Si(001)表面の炭化反応:3C-SiC核形成と成長過程の温度依存
    第60回応用物理学会学術講演会, 日本, 神戸 (1999.9.1-1999.9.4).
  • 小杉亮治,下村勝,虻川匡司,福田安生,河野省三,高桑雄二
    Si(001)表面の炭化反応:3C-SiC核形成と成長過程の基板オフ角度依存
    第60回応用物理学会学術講演会, 日本, 神戸 (1999.9.1-1999.9.4).
  • 小杉亮治,下村勝,福田安生,河野省三,高桑雄二
    エチレンで炭化したSi(001)c(4x4)-C表面のSTM観察
    第60回応用物理学会学術講演会, 日本, 神戸 (1999.9.1-1999.9.4).
  • 高桑雄二,二瓶瑞久,宮本信雄
    角度分解X線光電子分光法によるSiO2膜表面の構造欠陥の解析
    第60回応用物理学会学術講演会, 日本, 神戸 (1999.9.1-1999.9.4).
  • 金井千里,渡辺一之,高桑雄二
    ダイヤモンド表面における水素原子の挙動に関する第一原理計算
    日本物理学会1999年秋の分科会, 日本, 盛岡 (1999.9.24-1999.9.27).
  • 石田史顕,高桑雄二
    RHEED-AES法によるSi熱酸化過程の「その場」観察
    平成11年度東北大学科学計測研究所秋季研究発表会, 日本, 仙台 (1999.11.26).
  • 石田史顕,高桑雄二
    RHEED-AES法によるSi熱酸化過程のリアルタイムモニタリング
    第19回表面科学講演大会, 日本, 東京 (1999.12.2-1999.12.3).

国際会議


招待
  • Y. Takakuwa
    In situ monitoring of semiconductor processes using synchrotron radiation
    1999 International Microprocesses and Nanotechnology Conference, Japan, Yokohama (1999.7.6-1999.7.8).
一般
  • Y. Takakuwa, M. Asano, T. Yasuda, T. Hikita, R. Kosugi, S. Kono
    In situ observation of the diamond C(001) surface during H2 adsorption by time-resolved ultraviolet photoelectron spectroscopy
    International Joint Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, Japan, Zao (1999.9.12-1999.9.17).
  • R. Kosugi, M. Shimomura, T. Abukawa, Y. Fukuda, S. Kono, Y. Takakuwa
    Nucleation and growth kinetics of 3C-SiC on Si(001) during carbonization
    International Joint Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, Japan, Zao (1999.9.12-1999.9.17).
  • F. Ishida, R. Kosugi, T. Abukawa, Y. Takakuwa
    Real-time monitoring of Si thermal oxidation by a combined method of RHEED and AES
    International Joint Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, Japan, Zao (1999.9.12-1999.9.17).
  • C. Kanai, K. Watanabe, Y. Takakuwa
    Theory of hydrogen extraction from hydrogenated diamond surface
    3rd International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces, Japan, Karuizawwa (1999.10.25-1999.10.29).
  • R. Kosugi, M. Shimomura, T. Abukawa, T. Kanai, Y. Fukuda, S. Kono, Y. Takakuwa
    Influence of surface step morphology on 3C-SiC nucleation and growth kinetics during carbonization of Si(001) vicinal surfaces with ethylene
    International Symposium on Surface Science for Micro- and Nano-Device Formation, Japan, Tokyo (1999.11.29-1999.12.1).
  • R. Kosugi, M. Shimomura, Y. Fukuda, S. Kono, Y. Takakuwa
    STM study of the Si(001)c(4x4)-C surface as appeared at the initial stage carbonization of Si(001)
    International Symposium on Surface Science for Micro- and Nano-Device Formation, Japan, Tokyo (1999.11.29-1999.12.1).