|
研究業績(2003年) |
オリジナル論文
- Y. Takakuwa, F. Ishida, T. Kawawa
Phase transition from Langmuir-type adsorption to two-dimensional oxide island growth during oxidation on Si(001) surface
Applied Surface Science, 216, 133-140 (2003).
- Y. Takakuwa, S. Ishida, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, Y. Yamauchi, Y. Mizuno, H. Tonda, T. Homma
Real-time monitoring of oxidation on the Ti(0001) surface by synchrotron radiation photoelectron spectroscopy and RHEED-AES
Applied Surface Science, 216, 395-401 (2003).
- C. Kanai, K. Watanabe, Y. Takakuwa
Ab initio study on the electronic states of hydrogen defects in diamond subsurface
Japanese Journal of Applied Physics, 42, 3510-3513 (2003).
- Y. Takakuwa, S. Ishidzuka, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, Y. Mizuno, H. Tonda, T. Homma
In-situ observation of oxidation on the Ti(0001) surface by real-time photoelectron spectroscopy using synchrotron radiation (リアルタイム光電子分光によるTi(0001)表面酸化反応の「その場」観察)
Journal of the Surface Science Society of Japan, 24, 500-508 (2003).
- Y. Takakuwa, S. Ishidzuka, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, Y. Mizuno, H. Tonda, T. Homma
Time-resolved photoelectron spectroscopy of oxidation on the Ti(0001) surface
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research: Section B, 200, 376-381 (2003).
総説・解説
- 高桑雄二,石塚眞治,吉越章隆,寺岡有殿 (Y. Takakuwa, S. Ishidzuka, A. Yoshigoe,Y. Teraoka)
リアルタイム光電子分光による極薄チタニウム酸化膜形成過程の「その場」観察 (Growth kinetics of very thin oxide on Ti(0001) surface studied by real-time photoelectron spectroscopy)
化学工業 (Chemical Industry), 54, 687-692 (2003)
国内会議抄録
- 小川修一,吉越章隆,石塚眞治,寺岡有殿,高桑雄二
Si(001)表面での極薄酸化膜形成・分解過程のRHEED-AES/STMによる「その場」観察
応用物理学会薄膜・表面分科会、「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」第9回研究会, (平成16年1月23-24日、熱川ハイツ、伊豆) 301-306.
学会発表
国内学会
招待
- 高桑雄二
極薄シリコン酸化膜形成過程のリアルタイムRHEED-AES観察
平成14年度表面科学会東北支部講演会, 日本, 米沢 (2003.3.6-2003.3.7).
- 高桑雄二
リアルタイム光電子分光による極薄チタニウム酸化膜形成過程の「その場」観察
文部科学省 ナノテクノロジー総合支援プロジェクト 平成14年度放射光グループ研究成果報告会「放射光利用 ナノテク最前線」, 日本, 大阪 (2003.6.16).
- 高桑雄二
真空と表面計測
平成15年度東北大学教室系技術職員研修 (専門研修), 日本, 仙台 (2003.10.9).
- 高桑雄二
大面積ダイヤモンド薄膜の光合成プロセス技術
ISS産業科学システムズ・特別セミナー, 日本, 東京 (2003.12.18).
- 高桑雄二
Ti表面初期酸化:ナノ構造光触媒への応用
PF研究会「ナノテクノロジーと高分解能電子分光」, 日本, つくば (2003.12.19-2003.12.20).
一般
- 小川修一,川和拓央,高桑雄二
Si(001)表面酸化におけるSi原子放出のRHEED-AES観察
第2回多元物質科学研究所研究発表会, 日本, 仙台 (2003.1.15).
- 高桑雄二,小川修一,川和拓央
Si(001)表面初期酸化におけるSi原子放出の実験的検証
応用物理学会薄膜・表面分科会、第8回「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会, 日本, 熱川 (2003.1.24-2003.1.25).
- 石塚眞治, 高桑雄二,吉越章隆,寺岡有殿,水野善之,頓田英樹,本間禎一
Ti(0001)表面初期窒化過程のリアルタイムモニタリング光電子分光
平成14年度表面科学会東北支部講演会, 日本, 米沢 (2003.3.6-2003.3.7).
- 小川修一,八木貴之,高桑雄二
リアルタイム光電子分光によるSi(001)表面初期酸化過程の「その場」観察
平成14年度表面科学会東北支部講演会, 日本, 米沢 (2003.3.6-2003.3.7).
- 小川修一,川和拓央,高桑雄二
Si(001)表面初期酸化におけるSi原子放出過程
第50回応用物理学関係連合講演会, 日本, 横浜 (2003.3.27-2003.3.30).
- 小川修一,高桑雄二
RHEED-AESによるSi表面酸化におけるSi原子放出の「その場」観察
第19回化学反応討論会, 日本, 仙台 (2003.6.11-2003.6.13).
- 高桑雄二,石塚眞治,吉越章隆,寺岡有殿,水野善之,頓田英樹,本間禎一
高輝度放射光光電子分光によるTi(0001)表面酸化反応の「その場」観察
第19回化学反応討論会, 日本, 仙台 (2003.6.11-2003.6.13).
- 小川修一,高桑雄二
Si(001)表面初期酸化におけるSi原子放出過程(II)
2003年秋季 第64回応用物理学会学術講演会, 日本, 博多 (2003.8.30-2003.9.2).
- 高桑雄二,石塚眞治,吉越章隆,寺岡有殿,盛谷浩右,小川修一,水野善之,頓田英樹,本間禎一
Ti(0001)表面での極薄酸化膜形成における酸化状態の「その場」観察
2003年秋季 第64回応用物理学会学術講演会, 日本, 博多 (2003.8.30-2003.9.2).
- 高桑雄二,石塚眞治,吉越章隆,寺岡有殿,盛谷浩右,小川修一,水野善之,頓田英樹,本間禎一
Ti(0001)表面酸化への酸素分子並進運動エネルギーの効果
2003年秋季 第64回応用物理学会学術講演会, 日本, 博多 (2003.8.30-2003.9.2).
- 高桑雄二,小川修一
Si(001)表面での初期酸化過程への2x1/1x2分域比の影響
日本物理学会2003年秋季大会, 日本, 岡山 (2003.9.20-2003.9.23).
- 高桑雄二,石塚眞治,吉越章隆,寺岡有殿,盛谷浩右,小川修一,水野善之,頓田英樹,本間禎一
Ti(0001)表面酸化における極薄酸化膜形成過程のリアルタイム計測
日本物理学会2003年秋季大会, 日本, 岡山 (2003.9.20-2003.9.23).
- 小川修一,高桑雄二
Si(001)とSi(111)表面の極薄酸化膜形成過程の比較
第44回真空に関する連合講演会, 日本, 東京 (2003.11.12-2003.11.14).
- 高桑雄二,石塚眞治,吉越章隆,寺岡有殿,盛谷浩右,小川修一,水野善之,頓田英樹,本間禎一
Ti(0001)表面酸化における極薄酸化膜成長と酸化状態
第44回真空に関する連合講演会, 日本, 東京 (2003.11.12-2003.11.14).
- 小川修一,吉越章隆,石塚眞治,寺岡有殿,高桑雄二
Si(001)表面での極薄酸化膜形成・分解過程におけるSi原子の挙動
第23回表面科学講演大会, 日本, 東京 (2003.11.26-2003.11.28).
- 小川修一,高桑雄二,石塚眞治,吉越章隆,寺岡有殿,盛谷浩右,鉢上隼介,水野善之,頓田英樹,本間禎一
超音速酸素分子ビームによるTi(0001)表面の運動エネルギー誘起酸化反応
第23回表面科学講演大会, 日本, 東京 (2003.11.26-2003.11.28).
国際会議
一般
- Y. Takakuwa, S. Ishidzuka, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, K. Moritani, S. Ogawa, Y. Mizuno, H. Tonda, T. Homma
Real-time monitoring of oxygen uptake and chemical composition during oxidation on Ti(0001) surface
7th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures, 日本, 奈良 (2003.11.16-2003.11.20).
|
|
|