研究業績（2004年）

オリジナル論文

• S. Ogawa, Y. Takakuwa
  Comparison of the initial oxidation kinetics between Si(001) and Si(111) surfaces
  The Journal of the Vacuum Society of Japan, 47, 235-238 (2004).
  
• Y. Takakuwa, S. Ishidzuka, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, K. Moritani, S. Ogawa, Y. Mizuno, H. Tonda, T. Homma
  Oxidation State during Growth of Very Thin Oxide on Ti(0001) Surface
  The Journal of the Vacuum Society of Japan, 47, 457-461 (2004).
  

著書

• 高桑雄二
  放射光照射を用いるプロセスの研究
  渡辺誠、佐藤繁編：“放射光科学入門”（共著） （東北大学出版会, 2004） 191-199.

国内会議抄録

• 小川修一，高桑雄二
  リアルタイムRHEED-AESによるSi(001)表面層状酸化の律速反応の解明
  応用物理学会薄膜・表面分科会、「ゲートスタック研究会　–材料・プロセス・評価の物理-」第10回研究会 （平成17年1月28-29日、東レ総合研修センター、三島） 297-302.

学会発表

国内学会

• 高桑雄二
  表面局所プラズマを用いた基板表面処理技術の開発　-ダイヤモンド気相合成の技術革新を例として-
  川鉄テクノリサーチ講演会, 日本, 東京 (2004.6.15).
  
• 小川修一，高桑雄二
  熱酸化プロセスによる極薄シリコン酸化膜形成機構の研究
  NTTセミナー, 日本, 厚木 (2004.12.22).
  

• 小川修一，吉越章隆，石塚眞治，寺岡有殿，高桑雄二
  Si(001)表面での極薄酸化膜形成・分解過程のRHEED-AES/STMによる「その場」観察
  応用物理学会薄膜・表面分科会、第9回「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会, 日本, 伊豆熱川 (2004.1.23-2004.1.24).
• 八木貴之，高桑雄二
  高温ダイヤモンド表面からの二次電子放出機構
  平成15年度日本表面科学会東北支部講演会, 日本, 仙台 (2004.3.4-2004.3.5).
  
• 小川修一，吉越章隆，石塚眞治，寺岡有殿，高桑雄二
  Si(001)表面初期酸化におけるSi原子放出過程 (III)：界面反応
  第51回応用物理学関係連合講演会, 日本, 八王子 (2004.3.28-2004.3.31).
  
• 高桑雄二，小川修一，吉越章隆，石塚眞治，寺岡有殿
  Si(001)表面初期酸化におけるSi原子放出過程 (IV)：酸化様式への依存
  第51回応用物理学関係連合講演会, 日本, 八王子 (2004.3.28-2004.3.31).
  
• 高桑雄二，小川修一，石塚眞治，吉越章隆，寺岡有殿，盛谷浩右，鉢上隼介，水野善之，頓田英樹，本間禎一
  Ti(0001)表面に形成した極薄酸化膜の分解過程
  第51回応用物理学関係連合講演会, 日本, 八王子 (2004.3.28-2004.3.31).
  
• 小川修一，高桑雄二，石塚眞治，吉越章隆，寺岡有殿，盛谷浩右，鉢上隼介，水野善之，頓田英樹，本間禎一
  Ti(0001)表面初期酸化過程の酸素分子並進運動エネルギー依存
  第51回応用物理学関係連合講演会, 日本, 八王子 (2004.3.28-2004.3.31).
  
• 高桑雄二，小川修一，石塚眞治，吉越章隆，寺岡有殿，盛谷浩右，鉢上隼介，水野善之，頓田英樹，本間禎一
  酸素分子並進運動エネルギー制御によるTi酸化膜形成過程のリアルタイム光電子分光観察
  文部科学省 ナノテクノロジー総合支援プロジェクト 平成15年度 放射光グループ研究成果報告会「放射光利用 ナノテク最前線 2004」, 日本, 東京 (2004.6.21).
  
• 小川修一，高桑雄二
  Si(001)表面初期酸化におけるSi原子放出過程(V)：界面の酸化・分解の律速反応
  2004年秋季第65回応用物理学会学術講演会, 日本, 仙台 (2004.9.1-2004.9.4).
  
• 小川修一，高桑雄二
  Si(001)表面初期酸化におけるSi原子放出過程(VI)：分解における吸着Si原子との競合
  2004年秋季第65回応用物理学会学術講演会, 日本, 仙台 (2004.9.1-2004.9.4).
  
• 小川修一，高桑雄二，石塚眞治，吉越章隆，寺岡有殿，盛谷浩右，鉢上隼介，水野善之，頓田英樹，本間禎一
  Ti(0001)表面酸化過程の酸素分子並進運動エネルギー依存(II)：酸化状態
  2004年秋季第65回応用物理学会学術講演会, 日本, 仙台 (2004.9.1-2004.9.4).
  
• 小川修一，高桑雄二
  Si(001)表面酸化様式に依存した極薄酸化膜分解過程の「その場」観察
  日本物理学会2004年秋季大会, 日本, 青森 (2004.9.12-2004.9.15).
  
• 高桑雄二，小川修一，石塚眞治，吉越章隆，寺岡有殿，盛谷浩右，鉢上隼介，水野善之，頓田英樹，本間禎一
  極薄Ti酸化膜の分解過程のリアルタイム光電子分光観察
  日本物理学会2004年秋季大会, 日本, 青森 (2004.9.12-2004.9.15).
  
• 高桑雄二，八木貴之
  水素ラジカル照射下のダイヤモンドC(001)表面からの二次電子放出過程の温度依存
  日本物理学会2004年秋季大会, 日本, 青森 (2004.9.12-2004.9.15).
  
• 小川修一，大平雅之，高桑雄二
  Si(111)表面における極薄酸化膜形成過程の温度依存
  第45回真空に関する連合講演会, 日本, 大阪 (2004.10.27-2004.10.29).
  
• 八木貴之，高桑雄二
  水素終端ダイヤモンドC(001)表面からの電子放出過程の温度依存
  第45回真空に関する連合講演会, 日本, 大阪 (2004.10.27-2004.10.29).
  
• 小川修一，八木貴之，大平雅之，高桑雄二
  Si(001)表面酸化過程における仕事関数の「その場」観察
  第24回表面科学講演大会, 日本, 東京 (2004.11.8-2004.11.10).
  
• 大平雅之，小川修一，高桑雄二，石塚眞治，盛谷浩右，吉越章隆，寺岡有殿，水野善之，頓田英機，本間禎一
  超音速酸素分子ビームによるTi表面酸化反応ダイナミクス
  第59回応用物理学会東北支部学術講演会 (2004.12.9-2004.12.10).
  

国際会議

• S. Ogawa, Y. Takakuwa
  Rate-limiting reaction of growth and decomposition of very thin oxide on Si(001) surface
  2004 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices: Science and Technology, 日本, 東京 (2004.5.26-2004.5.28).
  
• T. Yagi, Y. Takakuwa
  Emission of secondary electrons from diamond (001) surfaces heated at high temperatures under hydrogen radical irradiation
  12th International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-12), 日本, 浜松 (2004.6.21-2004.6.25).
  
• S. Ogawa, Y. Takakuwa, S. Ishidzuka, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, K. Moritani, S. Hachiue, Y. Mizuno, H. Tonda, T. Homma
  Progress of stoichiometry of very thin oxides on Ti (0001) surfaces monitored by real-time photoelectron spectroscopy
  12th International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-12), 日本, 浜松 (2004.6.21-2004.6.25).
  
• S. Ogawa, Y. Takakuwa
  Substrate orientation dependence of first- and second-oxide-layer growth kinetics: comparison between Si(001)2×1 and Si(111)7×7 surfaces
  2004 International Microprocess and nanotechnology Conference, 日本, 大阪 (2004.10.26-2004.10.29).