東北大学多元研 高桑研究室 本文へジャンプ

研究業績(2007年)


オリジナル論文


  • S. Ogawa, A. Yoshigoe, S. Ishidzuka, Y. Teraoka, Y. Takakuwa
    Si(001) Surface Layer-by-Layer Oxidation Studied by Real-Time Photoelectron Spectroscopy using Synchrotron Radiation
    Japanese Journal of Applied Physics, 46(5B), 3244-3254 (2007.5).
  • S. Ogawa, Y. Takakuwa
    Simultaneous observation of oxygen uptake curves and electronic states during room-temperature oxidation on Si(001) surfaces by real-time ultraviolet photoelectron spectroscopy
    Surface Science, 601(18), 3838-3842 (2007.9).
  • 小川修一,高桑雄二,石塚眞治,吉越章隆,寺岡有殿,盛谷浩右,水野善之 
    (S. Ogawa, Y. Takakuwa, S. Ishidzuka, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, K. Moritani, Y. Mizuno)

    超音速酸素分子ビームによる並進運動エネルギー誘起Ti(0001)表面酸化反応 (Translational Kinetic Energy Induced Oxidation on Ti(0001) Surfaces Using a Supersonic O2 Beam)
    電気学会論文誌C (IEEJ Trans. EIS), 127(2), 140-145 (2007.2).


総説・解説


  • 山口尚登,山田貴壽,工藤正都,高桑雄二,岡野健
    窒素添加ダイヤモンドからの電界電子放出メカニズム解明にむけて -XPS/UPS/FES複合分光システムによる評価-
    New Diamond 87,23(4),32-33(2007.10)
  • 高桑雄二
    ドライ酸化プロセスによるSiO2膜形成:ナノ領域での酸化反応機構とモデル
    応用物理学会/薄膜・表面物理分科会 News Letter, 129, 51-74 (2007.3)


著書


  • 高桑雄二
    酸化膜・窒化膜の形成
    小間篤、青野正和、石橋幸治、塚田捷、常行真司、長谷川修司、八木克道、吉信淳編:“表面物性工学ハンドブック”第2版(共著), (丸善, 2007) 857-863.

国際会議抄録




国内会議抄録


  • 小川修一,吉越章隆,石塚眞治,寺岡有殿,高桑雄二
    Si(001)表面酸化中の界面歪みSi層の高輝度放射光XPSによる追跡
    応用物理学会/薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会 ?材料・プロセス・評価の物理?」 第12回研究会 (2007年2月1 - 3日、東レ総合研修センター、三島) 307-312.


研究報告書など




国際会議プロシーディングス


  • H. Yamaguchi, T. Yamada, M. Kudo, Y. Takakuwa, and K. Okano
    Electron emission mechanism of diamond characterized using combined XPS/UPS/FES
    Mater. Res. Soc. Proc. 956, 0956-J11-06 (2007).


学会発表


国内学会


招待
  • 高桑雄二
    点欠陥発生(放出Si原子+空孔)を介したSi酸化反応モデル
    第17回北海道大学触媒科学研究センター研究討論会, 北海道大学, 札幌 (2007.1.10-2007.1.11).
  • 高桑雄二
    シリコン酸化プロセスの統合反応モデルの実験的検証
    2007 Nano-net Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices, 日本, 高知 (2007.1.26).
  • 小川修一,高桑雄二
    リアルタイム表面計測を用いた統合Si酸化反応モデルの実験的検証
    2007年春季第55回応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学, 相模原 (2007.3.27-2007.3.30).
  • H. Yamaguchi,T. Yamada, M. Kudo, Y. Takakuwa, K. Okano
    Electron emission mechanism of doped CVD diamond characterized by combined XPS/UPS/FES
    The 67th Meetings of JSPS 158th Committee on Vacuum Micro Electronics, Japan, Tokyo (2007.4.27).
  • 小川修一
    Rate-Limiting Reactions of the Growth and Decomposition Kinetics of Very Thin Oxide on Si(001) Surfaces Studied by Reflection High Energy Electron Diffraction Combined with Auger Electron Spectroscopy
    2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会, 北海道工業大学,札幌市 (2007.9.4-2007.9.8).
  • 高桑雄二
    表面・界面反応機構の理解に基づいた機能性材料創製と表面ナノプロセス開発
    『原子分子レベルでの界面構造・反応制御・物質創製』研究懇談会, 東北大学, 仙台 (2007.11.10).
  • 小川修一
    リアルタイム光電子分光観察を用いた表面研究
    第48回真空に関する連合講演会, 学習院大学, 東京 (2007.11.14-2007.11.16).

一般
  • 小川修一,高桑雄二,石塚眞治,吉越章隆,寺岡有殿
    Si酸化表面における欠陥発生過程のリアルタイム光電子分光観察
    第20回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム, 広島国際会議場, 広島 (2007.1.12-2007.1.14).
  • 小川修一,吉越章隆,石塚眞治,寺岡有殿,高桑雄二
    Si(001)表面酸化中の界面歪みSi層の高輝度放射光XPSによる追跡
    「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」第12回研究会, 日本, 三島 (2007.2.2-2007.2.3).
  • 小川修一,吉越章隆,石塚眞治,寺岡有殿,高桑雄二
    SiO2/Si(001)界面の酸化誘起歪みのリアルタイム光電子分光観察
    平成18年度日本原子力研究開発機構放射光シンポジウム, 日本, 佐用 (2007.3.1-2007.3.2).
  • 小川修一,吉越章隆,石塚眞治,寺岡有殿,高桑雄二
    Si(001)表面酸化過程の高輝度放射光を用いた光電子分光観察
    平成18年度日本表面科学会東北・北海道支部講演会, 岩手大学, 盛岡市 (2007.3.13-2007.3.14).
  • 小川修一,吉越章隆,石塚眞治,寺岡有殿,高桑雄二
    Si(001)表面酸化におけるSi原子放出過程(X):歪みSi層と第2層酸化速度の相関
    2007年春季第55回応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学, 相模原 (2007.3.27-2007.3.30).
  • 小川修一,高桑雄二
    Si(001)表面酸化におけるSi原子放出過程(XI):p及びn型伝導度への依存
    2007年春季第55回応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学, 相模原 (2007.3.27-2007.3.30).
  • 山口尚登,斉藤市太郎,工藤唯義,増澤智昭,山田貴壽,工藤政都,高桑雄二,岡野 健
    XPS/UPS/FES複合分光システムによる不純物添加CVDダイヤモンドからの電界電子放出機構解明の試み
    第54回応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学, 相模原 (2007.3.27-2007.3.30).
  • 高桑雄二,小川修一
    Si1-xCx合金層(x =0.1)/p-Si(001)の酸化過程:室温での吸着酸素の挙動
    2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会, 北海道工業大学, 札幌 (2007.9.4-2007.9.8).
  • 小川修一,吉越章隆,石塚眞治,寺岡有殿,高桑雄二
    統合Si酸化反応モデルの実験的検証(2):界面酸化速度のO2圧力依存
    2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会, 北海道工業大学, 札幌市 (2007.9.4-2007.9.8).
  • 小川修一,吉越章隆,石塚眞治,寺岡有殿,高桑雄二
    SiO2/Si(001)界面歪みのリアルタイムXPS観察:表面酸化様式依存
    第7回東北大学多元物質科学研究所研究発表会, 東北大学, 仙台 (2007.12.12).

国際会議


一般
  • Y. Takakuwa, S. Ogawa, M. Ohira, S. Ishidzuka, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, Y. Mizuno, Y. Yamauchi, T. Homma
    Oxidation reaction kinetics on Ti(0001) surface studied by real-time monitoring methods of XPS, UPS, and RHEED combined with AES
    The 3rd international Workshop on Oxidation Reactions, Osaka University, Osaka (2007.5.10).
  • S. Ogawa, A. Yoshigoe, S. Ishidzuka, Y. Teraoka, Y. Takakuwa
    Real-time photoelectron spectroscopy study on the oxidation-induced strained Si atom at SiO2/Si(001) interface: dependence on oxidation temperature
    17th International Vacuum Congress,Stockholm International Fairs, Sweden, Stockholm (2007.7.2-2007.7.6).
  • Y. Takakuwa, S. Ogawa
    Real-time ultraviolet photoelectron spectroscopy study on the oxidation reaction kinetics of an Si1-xCx ally layer (x = 0.1) grown on p-type Si(001) surface with ethylene
    17th International Vacuum Congress, Stockholm International Fairs, Sweden ,Stockholm (2007.7.2-2007.7.6).
  • Y. Takakuwa, S. Ogawa, A. Yoshigoe, S. Ishidzuka, Y. Teraoka
    Real-time monitoring of stained Si atoms at SiO2/Si(001) interface during layer-by-layer oxide growth by Si 2p photoelectron spectroscopy using synchrotron radiation
    The 15th International Conference on Vacuum Ultraviolet Radiation Physics, Konzerthaus at Gendarmenmarkt ,Germany,Berlin (2007.7.29-2007.8.3).
  • S. Ogawa, A. Yoshigoe, S. Ishidzuka, Y. Teraoka, Y. Takakuwa
    Influence of Rapid O2 Pressure Increase on the Oxide Growth Kinetics at SiO2/Si(001) Interface Studied by Real-Time X-ray Photoelectron Spectroscopy
    6th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices '07, Kanazawa Art Hall, Kanazawa (2007.10.28-2007.11.2).
  • Y. Takakuwa, S. Ogawa, T. Kawamura
    Real-Time Observation of the Oxidation Reaction Kinetics of a Si1-xCx Alloy Layer Grown on Si(001) with C2H4 by UPS and RHEED Combined with AES
    6th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices '07, Kanazawa ArtHall ,Kanazawa (2007.10.28-2007.11.2).
  • S. Ogawa, A. Yoshigoe, S. Ishidzuka, Y. Teraoka, Y. Takakuwa
    Temperature Dependence of the Oxidation-Induced Strain at SiO2/Si(001) Interface Studied by XPS Using Synchrotron Radiation
    9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures, Tokyo Univ., Tokyo (2007.11.11-2007.11.15).


学術関係受賞


  • 小川修一
    第21回(2006年秋季)応用物理学会講演奨励賞
    Si(001)表面酸化におけるSi原子放出過程(VIII):第2層酸化膜成長速度の温度依存
    応用物理学会 (2007.3.27).
  • 小川修一
    第29回(2007年度)応用物理学会論文賞(JJAP論文奨励賞)
    Rate-Limiting Reactions of Growth and Decomposition Kinetics of Very Thin Oxides on Si(001) Surfaces Studied by Reflection High-Energy Electron Diffraction Combined with Auger Electron Spectroscopy
    応用物理学会 (2007.9.4).
  • 小川修一
    第16回真空進歩賞
    リアルタイム光電子分光観察を用いた表面研究
    日本真空協会 (2007.11.14).