東北大学多元研　高桑研究室 本文へジャンプ

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1993年

研究業績（2009年）

オリジナル論文


  • H. Yamaguchi, T. Masuzawa,S. Nozue, Y. Kudo, I. Saito, J. Koe, M. Kudo, T. Yamada, Y. Takakuwa, and K. Okano
    Electron emission from conduction band of diamond with negative electron affinity
    Physical Review B, 80(16), 165321-1-165321-5 (2009.10).
  • T. Takami, S. Ogawa, H. Sumi, T. Kaga, A. Saikubo, E. Ikenaga, M. Sato, M. Nihei, and Y. Takakuwa
    Catalyst-free Growth of Networked Nanographite on Si and SiO2 Substrates by Photoemission-assisted Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition
    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology, 7, 882-890 (2009.12).
  • 角治樹，小川修一，高見知秀，西窪明彦，池永英司，二瓶瑞久，高桑雄二 (H.Sumi, S. Ogawa, T. Takami, A. Saikubo, E. Ikenaga, M. Nihei, and Y. Takakuwa)
    CVD成長多層グラフェン膜のラマン分光とバルク敏感XPSによる評価 (Characterization of CVD Growth Multi-layer Graphene by Microscopic Raman Spectroscopy and Bulk-sensitive XPS)
    表面科学 (Journal of the Surface Science Society of Japan), 30(7), 403-409 (2009.7).
  • 渡邉清人，池田正則，清水博文，小川修一，高桑雄二
    Si(001)-(2×1)表面の初期酸化過程における放出Si原子挙動の走査型トンネル顕微鏡観察
    表面科学 (Journal of the Surface Science Society of Japan), 30(12), 694-701 (2009.12).


解説


  • 高桑雄二
    光電子制御プラズマを用いた表面ナノプロセス
    M&E, 36(2), 116-121 (2009.2).


国際会議抄録


  • H. Hozumi, S. Ogawa, A. Yoshigoe, S. Ishidzuka, J. Harries, Y. Teraoka, and Y. Takakuwa
    Real-time photoelectron spectroscopy study of 3C-SiC nucleation and growth on Si(001) Surface by Carbonization with Ethylene
    JSPS 141 Committee Activity Report 317-322, The Westin Maui Resort & Spa, Maui, Hawaii (2009.12.6-2009.12.11).
  • S. Ogawa, H. Sumi, A. Saikubo, E. Ikenaga, M. Sato, M. Nihei, and Y. Takakuwa
    Characterization of Crystal Structure and Chemical Bonding Configuration of Multi-layer Graphene Grown on SiO2 Substrate
    JSPS 141 Committee Activity Report 337-339,The Westin Maui Resort & Spa, Maui, Hawaii,(2009.12.6-2009.12.11).


学会発表


国内学会

招待
  • 高桑雄二
    グラフェン成長技術
    nano tech 2009, 日本, 東京 (2009.2.18-2009.2.20).
  • 小川修一，角治樹，高見知秀，西窪明彦，池永英司，二瓶瑞久，高桑雄二
    光電子制御プラズマによるLSI配線用多層グラフェン合成プロセスの開発
    2009年春季第55回応用物理学関係連合講演会, 筑波大学, つくば市 (2009.3.30-2009.4.2).
  • 高桑雄二
    光電子制御プラズマCVDによるグラフェン成長技術
    電子情報技術産業協会　ナノカーボンエレクトロニクス技術分科会, 東北大学電気通信研究所, 仙台 (2009.10.13).

一般
  • 小川修一，角治樹，高見知秀，西窪明彦，池永英司，二瓶瑞久，高桑雄二
  • 硬X線XPSによる多層グラフェン成長温度依存の解明
    第22回放射光科学会年会放射光科学合同シン ポジウム, 東京大学, 東京 (2009.1.9-2009.1.12).
  • 穂積英彬，小川修一，吉岡章隆，石塚眞治，寺岡有殿，高桑雄二
    SiO2/Si(001) 界面の炭素原子によるSi酸化反応機構への影響
    第14回「ゲートスタック研究会　−材料・プロセス・評価の物理ー」, 東レ総合研修センター, 三島 市 (2009.1.23-2009.1.24).
  • 小川修一，角治樹，西窪明彦，池永英司，二瓶瑞久，高桑雄二
    LSI配 線用多層グラフェン成長のための光電子制御プラズマCVDの開発
    プラズマ科学シンポジウム2009, 名古屋大学, 名古屋市 (2009.2.2-2009.2.4).
  • 加賀利瑛，小川修一，角治樹，穂積英彬，二瓶瑞久，高桑雄二
    光電子制 御プラズマのI-V特性
    平成20年度表面科学会東北支部講演会, 東北大学, 仙台市 (2009.3.12-2009.3.13).
  • 穂積英彬，小川修一，吉越章隆，石塚眞治，寺岡有殿，高桑雄二
    SiO2/Si 界面酸化における格子歪みの役割(1)：炭素原子の挙動
    2009年春季第55回応用物理学関係連合講演会, 筑波大学, つくば市 (2009.3.30-2009.4.2).
  • 角治樹，小川修一，西窪明彦，池永英司，二瓶瑞久，高桑雄二
    光電子制 御プラズマCVDによる多層グラフェン成長(I): キャリアガス(Ar, He)の効果
    2009年春季第55回応用物理学関係連合講演会, 筑波大学, つくば市 (2009.3.30-2009.4.2).
  • 加賀利瑛，小川修一，角治樹，穂積英彬，二瓶瑞久，高桑雄二
    光電子制 御プラズマCVDによる多層グラフェン成長(II):TaN表面でのI-V 特性
    2009年春季第55回応用物理学関係連合講演会, 筑波大学, つくば市 (2009.3.30-2009.4.2).
  • 穂積英彬，小川修一，吉越章隆，石塚眞治，H. R. James，寺岡有殿，高桑雄二
    SiO2/Si界面酸化における格子歪みの役割(2)：2次元島成長における炭素拡散
    2009 年秋季 第70回応用物理学会学術講演会, 富山大学, 富山 (2009.9.8-2009.9.11).
  • 佐藤元伸，小川修一，加賀利瑛，角治樹，池永英司，高桑雄二，二瓶瑞久
    光 電子制御プラズマCVD により成長した多層グラフェンの抵抗率
    2009年秋季 第70回応用物理学会学術講演会, 富山大学, 富山 (2009.9.8-2009.9.11).
  • 小川修一，角治樹，西窪明彦，池永英司，佐藤元伸，二瓶瑞久，高桑雄二
    光 電子制御プラズマCVD による多層グラフェン成長(4) : SiO2(350nm)/Si 基板
    2009年秋季 第70回応用物理学会学術講演会, 富山大学, 富山 (2009.9.8-2009.9.11).
  • 加賀利瑛，小川修一，穂積英彬，角治樹，佐藤元伸，二瓶瑞久，高桑雄二
    光 電子制御プラズマCVDによる多層グラフェン成長(３):SiO2/Si基板からの電子放出
    2009年秋季 第70回応用物理学会学術講演会, 富山大学, 富山 (2009.9.8-2009.9.11).
  • 西窪明彦，池永英司，小川修一，角治樹，高桑雄二，佐藤元伸，二瓶瑞久
    硬 X線光電子分光によるSiO2基板上の多層グラフェンの電子状態評価
    2009年秋季 第70回応用物理学会学術講演会, 富山大学, 富山 (2009.9.8-2009.9.11).
  • 穂積英彬，小川修一，吉越章隆，石塚眞治，James Harries，寺岡有殿，高桑雄二
    Si(001)表面炭化反応における3C-SiC核発生の時間遅れ：表面近傍の臨界炭素濃度
    第29回表面科学学術 講演会, タワーホール船堀, 東京 (2009.10.27-2009.10.29).
  • 大友悠大，加賀利瑛，小川修一，佐藤元伸，二瓶瑞久，高桑雄二
    H2とN2ガ スにおける光電子制御プラズマの放電特性
    第50回真空に関する連合講演会, 学習院大学, 東京 (2009.11.4-2009.11.6).
  • 小川修一，角治樹，佐藤元伸，二瓶瑞久，高桑雄二
    光電子制御プラズマ CVDによるSiO2基板への多層グラフェン成長
    第50回真空に関する連合講演会, 学習院大学, 東京 (2009.11.4-2009.11.6).
  • 加賀利瑛，大友悠大，小川修一，佐藤元伸，二瓶瑞久，高桑雄二
    光電子 制御プラズマ放電特性のArガス圧力依存
    第50回真空に関する連合講演会, 学習院大学, 東京 (2009.11.4-2009.11.6).
  • 加賀利瑛，大友悠大，小川修一，佐藤元伸，二瓶瑞久，高桑雄二
    SiO2(350 nm)/Si基板での光電子制御プラズマ生成機構
    第64回応用物理学会東北支部学術講演会, 日本大学, 郡山 (2009.12.3-2009.12.4).
  • 角治樹，小川修一，佐藤元伸，二瓶瑞久，高桑雄二
    多層グラフェンCVD 成長のAr希釈CH4濃度依存
    第64回応用物理学会東北支部学術講演会,日本大学, 郡山 (2009.12.3-2009.12.4).
  • 大友悠大，加賀利瑛，小川修一，佐藤元伸，二瓶瑞久，高桑雄二
    ２原子 分子と希ガス原子の光電子制御プラズマ生成機構の比較
    第9回多元物質科学研究所研究発表会,東北大学, 仙台 (2009.12.10).
  • 加賀利瑛，大友悠大，小川修一，佐藤元伸，二瓶瑞久，高桑雄二
    光電子 制御プラズマ生成過程の基板表面への依存
    第9回多元物質科学研究所研究発表会,東北大学, 仙台 (2009.12.10).


国際会議


招待
  • S. Ogawa, Y. Takakuwa
    Thermal oxidation kinetics on Si(001) surface studies by RHEED combined with AES
    International Workshop on "Diffraction studies for in situ epitaxial systems and surface structures", Tohoku Univ., Sendai (2009.2.23).
  • M. Nihei, M. Sato, D. Kondo, S. Sato, S. Ogawa, Y.Takakuwa, E. Ikenaga, and Y. Awano
    Multi-layer Graphene Grown by Low Temperature CVD for Advanced Carbon-based Interconnects
    2009 Material Research Society Spring meeting, Moscone West, San Fransisco (2009.4.13-2009.4.17).
  • M. Nihei, M. Sato, D. Kondo, S. Sato, S. Ogawa, E. Ikenaga, and Y. Takakuwa
    Electrical Properties of CVD-grown Multi-layer Graphene for Carbon-based Interconnects
    22nd International Miroprocesses and Nanotechnology Conference, Sheraton Sapporo Hotel , Sapporo (2009.11.16-2009.11.19)    .

一般

  • H. Yamaguchi, S. Nozue, R. Muraoka, Y. Kudo, T. Masuzawa, T. Yamada, M. Kudo, Y. Takakuwa, W. J. Chun and K. Okano
    Remaining problems in the combined XPS/UPS/FES System
    22nd International Vacuum Nanoelectronics Conference (IVNC2009),ACT CITY,Hamamatsu（2009.7.20−2009.7.24）
  • H. Hozumi, S. Ogawa, A. Yoshigoe, S. Ishidzuka, J. Harries, Y. Teraoka, and Y. Takakuwa
    Active Oxidation Kinetics on Si1-xCx Alloy Layer Studied by Real-time Photoelectron Spectroscopy
    2009 International Conference on Solid State Devices and Materials,     ,SENDAI KOKUSAI HOTEL, Sendai (2009.10.7-2009.10.9).
  • H. Sumi, S. Ogawa, A. Saikubo, E. Ikenaga, M. Nihei, and Y. Takakuwa
    Effect of Carrier Gas (Ar and He) on the Crystallographic Quality of Multi-layer Graphene Grown on Si by Photoemission-assisted Plasma CVD
    2009 International Conference on Solid State Devices and Materials, SENDAI KOKUSAI HOTEL,, Sendai (2009.10.7-2009.10.9).
  • T. Kaga, S. Ogawa, H. Hozumi, H. Sumi, M. Sato, M. Nihei, and Y. Takakuwa
    Generation Mechanism of Photoemission-assisted Plasma on SiO2(350 nm)/Si Substrate
    2009 International Conference on Solid State Devices and Materials, SENDAI KOKUSAI HOTEL,, Sendai (2009.10.7-2009.10.9).
  • S. Ogawa, H.Sumi, A. Saikubo, E. Ikenaga, M. Sato, M. Nihei, and Y. Takakuwa
    Raman Spectroscopy, TEM and Bulk-sensitive XPS Study of Multi-layer Graphene Grown on SiO2(350 nm)/Si
    2009 International Conference on Solid State Devices and Materials, SENDAI KOKUSAI HOTEL,, Sendai (2009.10.7-2009.10.9).
  • H. Hozumi, S. Ogawa, A. Yoshigoe, S. Ishidzuka, J. Harries, Y. Teraoka, and Y. Takakuwa
    Strained Si atoms at SiO2/Si interface during oxidation of Si1-xCx alloy layer on Si(001) surfaces
    International Workshop on Electronic Spectroscopy for Gas-phase Molecules and Solid Surfaces (IWES2009), Hotel Taikanso, Matsushima (2009.10.12-2009.10.15).
  • S. Ogawa, H. Sumi, A. Saikubo, E. Ikenaga, M. Sato, M. Nihei, and Y. Takakuwa
    Characterization of Crystal Structure and Chemical Bonding Configuration of Multi-layer Graphene Grown on SiO2 Substrate
    7th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices ’09, The Westin Maui Resort & Spa, Maui, Hawaii, USA(2009.12.6-2009.12.11).
  • H. Hozumi, S. Ogawa, A. Yoshigoe, S. Ishidzuka, J. Harries, Y. Teraoka, and Y. Takakuwa
    Real-time Photoelectron Spectroscopy Study of 3C-SiC Nucleation and Growth on Si(001) Surface by Carbonization with Ethylene
    7th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices ’09,The Westin Maui Resort & Spa, Maui, Hawaii, USA(2009.12.6-2009.12.11).



学術関係受賞

  • 小川修一
    第25回井上研究奨励賞
    熱酸化プロセスによる極薄シリコン酸化膜形成過程 の研究
    財団法人井上科学振興財団 (2009.2.4).
  • 穂積英彬
    ALC'09 Student Award
    Real-time Photoelectron Spectroscopy Study of 3C-SiC Nucleation and Growth on Si(001) Surface by Carbonization with Ethylene
    141st Committee on Microbeam Analysis, Japan Society for the Promotion of Science (2009.12.7).