穂積 英彬（ほづみ ひであき）

学歴

2002年3月
山形県立山形東高等学校普通科卒業
2009年3月
東北大学工学部機械知能航空工学科ナノメカニクスコース卒業
2009年4月～
東北大学大学院工学研究科ナノメカニクス専攻　博士課程前期2年の課程在籍中

職歴

なし

修士論文のテーマ


卒業論文のテーマ


研究業績


　　論文
なし

　　学会発表
1. 2008年10月14~15日 2008年度 実用表面分析講演会
ポスター発表 『Si(001)表面炭化／酸化反応過程のリアルタイムXPS測定』
穂積英彬、小川修一、吉越章隆、石塚眞治、寺岡有殿、高桑雄二
2. 2008年11月13~15日 第28回表面科学学術講演会
口頭発表 『Si1-xCx合金層/Si(001)酸化反応過程のリアルタイムXPS観察』
穂積英彬、小川修一、吉越章隆、石塚眞治、寺岡有殿、高桑雄二
3. 2008年12月11日 第8回　東北大学多元物質科学研究所研究発表会
ポスター発表 『高輝度放射光XPSによるSi(001)表面炭化・酸化反応過程のリアルタイム観察』
穂積英彬、小川修一、吉越章隆、石塚眞治、寺岡有殿、高桑雄二
4. 2009年1月23~24日 第14回「ゲートスタック研究会　－材料・プロセス・評価の物理ー」
ポスター発表 『SiO2/Si(001)界面の炭素原子によるSi酸化反応機構への影響』
穂積英彬、小川修一、吉越章隆、石塚眞治、寺岡有殿、高桑雄二
5. 2009年3月30日~4月2日 2009年（平成21年）春季第56回応用物理学関係連合講演会（筑波大学、茨城県つくば市）
口頭発表 『SiO2/Si界面酸化における格子歪みの役割(1)：炭素原子の挙動』
穂積英彬、小川修一、吉越章隆、石塚眞治、寺岡有殿、高桑雄二
6. 2009年9月8~11日 2009年秋季 第70回応用物理学会学術講演会（富山大学、富山市）
ポスター発表 『SiO2/Si(001)界面の炭素原子によるSi酸化反応機構への影響』
穂積英彬、小川修一、吉越章隆、石塚眞治、James R. Harries、寺岡有殿、高桑雄二
7. 2009年10月7~9日 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2009)（Sendai, Japan)
ポスター発表 "Active Oxidation Kinetics on Si1-xCx Alloy Layer Studied by Real-time Photoelectron Spectroscopy"
H. Hozumi, S. Ogawa, A. Yoshigoe, S. Ishidzuka, J.R. Harries, Y. Teraoka and Y. Takakuwa
8. 2009年10月12~15日 International Workshop on Electronic Spectroscopy for Gas-phase Molecules and Solid Surfaces（IWES2009）(Sendai, Japan)
ポスター発表 "Strained Si atoms at SiO2/Si interface during oxidation of Si1-xCx alloy layer on Si(001) surfaces"
H. Hozumi, S. Ogawa, A. Yoshigoe, S. Ishidzuka, J.R. Harries, Y. Teraoka and Y. Takakuwa
9. 2009年10月27~29日 第29回表面科学学術講演会（タワーホール船堀、東京）
口頭発表 『Si(001)表面炭化反応における3C-SiC核発生の時間遅れ：表面近傍の臨界炭素濃度』
穂積英彬、小川修一、吉越章隆、石塚眞治、James Harries、寺岡有殿、高桑雄二
10. 2009年12月6~11日 Atomic Level Characterization '09（ALC'09）（Hawaii, USA）
ポスター発表 "Real-time Photoelectron Spectroscopy Study of 3C-SiC Nucleation and Growth on Si(001) Surface by Carbonization with Ethylene"
H. Hozumi, S. Ogawa, A. Yoshigoe, S. Ishidzuka, J.R. Harries, Y. Teraoka and Y. Takakuwa
11. 2010年1月21~23日 第15回「ゲートスタック研究会　－材料・プロセス・評価の物理ー」（東レ総合研修センター、静岡県三島）
ポスター発表 "Si1-xCx合金層／Si(001)表面における酸化誘起炭素拡散：酸化膜成長とエッチング条件での比較"
穂積英彬、小川修一、吉岡章隆、石塚眞治、James Harries、寺岡有殿、高桑雄二
12. 2010年1月29~30日 5th International Workshop on New Group Ⅳ Semicondoctor Nanoelectronics (Tohoku University, Sendai, Japan)
ポスター発表 "Carbon condensation and 3C-SiC growth caused by oxidizing Si1-xCx alloy layers on Si(001) substrate"
H. Hozumi, S. Ogawa, A. Yoshigoe, S. Ishidzuka, J.R. Harries, Y. Teraoka and Y. Takakuwa
13. 2010年3月10~11日 表面科学会東北支部大会 （東北大学、仙台）
口頭発表 "酸素によるSi(001)表面エッチングにおける炭素濃縮"
穂積英彬, 小川修一, 吉越章隆, 石塚眞治, J.R. Harris, 寺岡有殿, 高桑雄二
14. 2010年3月17~20日 2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会（東海大学、平塚市）
ポスター発表 "SiO2/Si界面酸化における格子歪みの役割(３) : 酸化誘起炭素濃縮による3C-SiC成長）"
穂積英彬, 小川修一, 吉越章隆, 石塚眞治, J.R. Harris, 寺岡有殿, 高桑雄二
15. 2010年9月14~17日 2010年秋季 第71回応用物理学会学術講演会（長崎大学、長崎市）
口頭発表 『SiGe/Si表面の酸化反応機構(1): GeO2形成の温度依存』
穂積英彬、小川修一、吉越章隆、石塚眞治、寺岡有殿、高桑雄二
16. 2010年9月22~24日 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2010)（Sendai, Japan)
ポスター発表 "Temperature Dependence of Exclusive SiO2 Formation during Thermal Oxidation of SiO1-xGex Alloy Layer on Si(001) Surfaces"
H. Hozumi, S. Ogawa, A. Yoshigoe, S. Ishidzuka, J.R. Harries, Y. Teraoka and Y. Takakuwa
17. 2010年10月3~7日 The 5th International Symposium on Practical Surface Analysis and 7th Korea-Japan Symposium on Surface Analysis (PSA 10)（Gyeongyu, Korea）
口頭発表 "Oxidation kinetics of SiGe alloy layer studied by real-time XPS"
H. Hozumi, S. Ogawa, A. Yoshigoe, S. Ishidzuka, J.R. Harries, Y. Teraoka and Y. Takakuwa
18. 2010年11月3~6日真空・表面科学合同講演会　第30回表面科学学術講演会 第51回真空に関する連合講演会（大阪大学、大阪府）
口頭発表 『Si混晶表面の酸化過程のリアルタイムXPS 観察：C とGe 混入効果の比較』
穂積英彬、加賀利瑛、小川修一、吉越章隆、石塚眞治、寺岡有殿、高桑雄二
19. 2010年11月3~6日真空・表面科学合同講演会　第30回表面科学学術講演会 第51回真空に関する連合講演会（大阪大学、大阪府）
口頭発表 『酸化グラフェンの高温加熱処理過程のリアルタイム放射光光電子分光観察』
穂積英彬、山口尚登、加賀利瑛、江田剛輝、セシリア マッテヴィ、小川修一、吉越章隆、石塚眞治、寺岡有殿、山田貴壽、高桑雄二、マニッシュ チョワ
20. 2011年1月20~21日 2011 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electronic Devices: Science and Technology（2011 IWDTF）(東工大, Tokyo, Japan)
口頭発表 "Oxidation kinetics of SiGe alloy layer studied by real-time XPS"
H. Hozumi, S. Ogawa, A. Yoshigoe, S. Ishidzuka, T. Kaga, Y. Teraoka and Y. Takakuwa

受賞歴

2009年12月7日
ALC'09 Student Award（7th International Symposium on Atomoic Level Characterizations for New Materials and Devices '09）

趣味

読書(SFなど)
なにもしないこと

スポーツ

柔道
空手


高桑研究室ホームページ
東北大学　多元物質科学研究所　表面物理プロセス研究分野