東北大学多元研　高桑研究室 本文へジャンプ

高桑雄二教授のプロフィール




　
氏名：
たかくわ 　ゆうじ
髙桑 　雄二
　
生年月日：
昭和29年7月12日（63歳）
所属：
東北大学多元物質科学研究所
計測研究部門・表面物理プロセス研究分野／教授
所属学会：
・応用物理学会
　　-薄膜・表面物理分科会
　　-結晶工学分科会
　　-シリコンテクノロジー分科会
　　-プラズマエレクトロニクス分科会
・日本物理学会
・日本表面科学会
・日本放射光学会
・表面分析研究会
・日本真空協会
・Material Research Society
専門分野：
表面物理学、材料科学、放射光科学、プロセス工学
研究テーマ：
固体表面動的過程のリアルタイム表面計測に基づく機能性材料の創製と表面ナノプロセスの開発に従事。
趣味：
古本屋めぐり、分野を問わない乱読
連絡先：
〒980-8577　仙台市青葉区片平2-1-1　東北大学多元物質科学研究所　科学計測研究棟
Tel: 022-217-5365 （直通）
Fax: 022-217-5405 （共通）
E-mail:yuji.takakuwa.b7@tohoku.ac.jp


学歴

昭和48年3月
山形県立山形南高等学校理数科　卒業
昭和52年3月
東北大学理学部物理第二学科　卒業
昭和54年3月
東北大学大学院理学研究科物理学専攻博士課程前期2年の課程　修了
昭和57年3月
東北大学大学院理学研究科物理学専攻博士課程後期3年の課程　単位修得退学
学位論文
昭和57年4月28日　東北大学より
　「光電子分光によるSm, Eu, Ybの表面4f電子状態とその初期酸化過程の研究」
について理学博士の学位授与 (理博第795号)

本博士論文に対して、昭和60年12月　第2回井上研究奨励賞（井上科学振興財団）を受賞しました。


職歴

昭和57年4月　
東北大学電気通信研究所助手に採用
平成5年4月
東北大学科学計測研究所助教授に昇任
平成13年4月
東北大学多元物質科学研究所助教授（改組により配置換え）
平成19年4月
東北大学多元物質科学研究所准教授（組織変更により）
平成22年4月
東北大学多元物質科学研究所教授に昇任
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　現在に至る

平成8年10月～平成11年9月
科学技術振興事業団・さきがけ研究21「場と反応」領域　研究員（兼務）
研究課題：負性電子親和力を用いたダイヤモンド気相成長の自己励起素過程
平成10年4月～平成13年3月
日本原子力研究所・高崎研究所　客員研究員（兼務）
委嘱事項：MBE法を用いたダイヤモンド結晶成長
平成10年4月～平成16年3月
東京大学物性研究所　嘱託研究員（兼務）
研究題目：高輝度光源を用いた固体分光実験設備の基本設計
研究題目：シリコン酸化膜／シリコン界面での電荷トラップの可視化
平成11年4月～平成13年3月
電子技術総合研究所　流動研究員（兼務）
所属部門：電子デバイス部
平成11年4月～平成27年3月
日本原子力研究開発機構・関西研究所放射光科学研究センター　研究嘱託（兼務）
委嘱事項：半導体極表面・超薄膜の化学反応に関する研究


学会などでの活動


　＜高エネルギー加速器研究機構＞
Photon Factory News 編集委員 1992～1994年
Photon Factory懇談会
　　　　　ユーザーグループ／固体分光II (表面）		 世話人 1996～2004年
Photon Factory 懇談会 利用幹事 1998～1999年
第20回Photon Factory シンポジウム 実行委員 2002年
第22回Photon Factory シンポジウム 実行委員 2004年

　＜日本放射光学会＞
行事委員会 委員 1993年
会報誌「放射光」編集委員会 編集委員 1995～1997年
第10回日本放射光学会年会
　　　　　放射光科学合同シンポジウム		 プログラム委員 1996年
会長：東北大学教授 佐藤繁 庶務幹事 1999～2000年
第21回日本放射光学会年会
　　　　　放射光科学合同シンポジウム（JSR08）		 組織委員 2007年
第23回日本放射光学会年会
　　　　　放射光科学合同シンポジウム（JSR10)		 組織委員 2009年
第26回日本放射光学会年会
　　　　　放射光科学合同シンポジウム（JSR13）		 組織委員 2012年

　＜日本表面科学会＞
東北支部 庶務幹事・会計幹事 1996～1997年
東北支部 幹事 1998～2008年
東北・北海道支部 副支部長 2009年～2010年
広報・市民講座委員会 委員 2010年
東北・北海道支部 担当理事 2011年～2012年
東北・北海道支部 支部長 2011年～2012年
学術講演会委員会 副委員長 2011年
講演奨励賞選定委員会 副委員長 2011年
産学連携委員会 委員 2011年～2012年
学術講演会委員会 委員長 2012年
講演奨励賞選定委員会 委員長 2012年
学術講演会 担当理事 2012年
東北・北海道支部 監査 2013年～2014年
東北・北海道支部 幹事 2015年～

　＜日本物理学会＞
表面・界面分科会 世話人 1997～1998年
第53期～第55期 委員 1997～1999年

　＜東京大学物性研究所＞
VUV・SX高輝度光源利用者懇談会 幹事 1998年

　＜応用物理学会＞
マイクロプロセス・ナノテクノロジー工学国際会議 論文委員 1996～2003年
6.5表面物理・真空分科会 プログラム編集委員 2004～2005年
薄膜・表面物理分科会
　　　 「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会 プログラム委員 1999～2003年
第32-33期・34-35期・36-37期・38-39期・40-41期 幹事 2003～2012年
第34-35期常任幹事 企画担当 2005～2006年
第41-42期常任幹事 副幹事長 2012～2013年
第43-44期常任幹事 幹事長 2014～2015年

　＜日本結晶成長学会＞
第13回結晶成長国際会議
第11回気相成長とエピタキシ国際会議　合同セッション		 プログラム委員 2001年

　＜Japanese Journal of Applied Physics＞
Special issue of Microprocesses & Nanotechnology 特別編集委員 1998～2002年
Special issue of IWDTF06 特別編集委員 2006年
Special issue of IWDTF11 特別編集委員 2010～2011年

　＜International Joint Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures ＞
IJC-Si　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 現地実行委員 1999年

　＜International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices
　　　: Science and Technology＞
IWDTF04 論文委員 2003～2004年
IWDTF06 論文委員 2005～2006年
IWDTF08 論文委員（プログラム副委員長） 2007～2008年
IWDTF11 論文委員 2010～2011年

　＜International Conference on Atomically
　　　　Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures＞
ACSIN-9 Steering committee
member		 2006～2007年
Guest editor of Applied Surface Science Publication committee
Chair		 2006～2008年
ACSIN-12 Steering committee
Vice chair		 2012～2013年

　＜International Symposium on Atomic Level Characterizations
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　for New Materials and Devices＞
ALC’07(6th) 出版委員 2006～2007年
ALC '11(8th) 実行委員 2010～2011年
ALC’13(9th) 実行委員 2012～2013年
ALC '15(9th) 実行委員 2014～2015年

　＜The 8th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surface＞
JRSSS-8 実行委員 2007～2008年

　＜International Workshop on Electronic Spectroscopy
　　　　　　　for Gas-phase Molecules and Solid Surfaces＞
IWES2009 実行委員 2008～2009年



特許

  1. 特許第3642385、“ダイヤモンド薄膜の気相成長法”、発明者：高桑雄二、特許権者：科学技術振興機構、平成17年2月4日


    【要約】
    【目的】 高品質のダイヤモンド薄膜を高成長速度で成長させる。
    【構成】 真空雰囲気に保持された基板表面を負性電子親和状態に維持し、炭素源ガス及び水素ガスを基板表面に供給しながら基板表面を電磁波で照射する。基板に負のバイアス電圧を印加することにより、基板表面からの負性親和力による電子をバイアス電圧で加速し、基板表面近傍の炭素源ガス及び水素ガスを電子衝撃励起して局所プラズマを発生させ、吸着水素が除去された基板表面にダイヤモンド薄膜を成長させる。
    【効果】 基板表面からの電子放出によって水素を原子状水素にできるため、従来法に比較して格段に速い速度でダイヤモンド薄膜が成長する。






  2. 特許第3932181、“基板の表面処理方法及び装置“、発明者：高桑雄二、特許権者：高桑雄二／月島機械株式会社、平成19年3月23日


    【要約】
    【課題】光励起プロセスを利用して導電性の基板を処理する方法において、安価にかつ特に大面積の基板であっても容易に表面処理を行えるようにする。
    【解決手段】導電性の基板を０．００１気圧～１気圧に保った処理容器１内に置き、基板２に負のバイアス電圧を印加しつつ、光出力窓を有する容器内に収容された光源としての紫外線ランプ５から基板表面の仕事関数よりも大きな光エネルギーの３～１０ｅＶを持つ紫外線を照射すると共に、処理容器１内にプロセスガスを供給することにより、基板２の表面極近傍にプロセスガスの成分と基板表面からの放出電子との衝突に伴うイオンやラジカル６を生成させ、これらを基板２の表面に到達させる。これにより、簡便かつ高効率にて、基板の表面処理を行うことができる。





  3. Patent GB2406173, “Surface treating method for substrate, Inventor : Yuji Takakuwa, Proprietor(s) : Yuji Takakuwa / Tsukishima Kikai Co. Ltd, 26 April 2006 (英国)









  4. 証書号　第363326号、”基板的表面処理方法”、発明人：高桑雄二、専利権人：月島機械株式会社、高桑雄二、2007年12月12日（中華人民共和国）









  5. Patent 10-0979192, “Surface treating method for substrate, Inventor : Yuji Takakuwa, Proprietor(s) : Yuji Takakuwa / Tsukishima Kikai Co. Ltd, 25 August 2010 (韓国)









  6. Patent No. US 7,871,677 B2, “Surface treating method for substrate, Inventor : Yuji Takakuwa, Proprietor(s) : Yuji Takakuwa / Tsukishima Kikai Co. Ltd, 18 Jan. 2011 (米国)