博士・修士・卒業論文一覧

これまでに研究指導を担当した卒業論文・修士論文・博士論文の課題一覧

平成22年（2010年）

• 加賀利瑛：『光電子制御プラズマCVDプロセスの基礎過程の研究』（修士論文）　要旨

• 穂積英彬：『Si_1-xC_xとSi_1-xGe_x合金表面での極薄酸化膜形成機構の研究』（修士論文）　要旨

• 尾白佳大：『光電子制御プラズマCVDによる炭素系薄膜成長機構の研究』（卒業論文）　要旨

平成21年（2009年）

• 角治樹：『光電子制御プラズマCVDによる多層グラフェン成長の研究』（修士論文）　要旨

• 大友悠大：『光電子制御プラズマに依る基板表面処理の研究』（卒業論文）　要旨

平成20年度 (2008年)

• 穂積 英彬：『歪みSiゲートスタックの酸化膜形成機構の研究』（卒業論文）　 要旨
  

• 加賀 利瑛：『LSI配線用多層グラフェンへの不純物ドーピングの研究』（卒業論文）　 要旨
  

平成19年度 (2007年)

• 小川　修一：『熱酸化プロセスによる極薄シリコン酸化膜形成機構の研究』（博士論文）　 要旨
  

平成18年度 (2006年)

平成17年度 (2005年)

• 川村　知史：『格子歪み誘起シリコン酸化反応機構の研究』（卒業論文）　 要旨
  

平成16年度 (2004年)

• 小川　修一：『熱酸化プロセスによる極薄シリコン酸化膜形成機構の研究』（修士論文）　　 要旨
  

• 大平　雅之：『Ti表面酸化のリアルタイム光電子分光観察』（卒業論文）　 要旨
  

平成15年度 (2003年)

• 八木　貴之：『高温ダイヤモンド表面からの電子放出の研究』（修士論文）　 要旨
  

• 東　誠二郎：『極薄酸化膜形成によるTi表面不動態化の研究』（卒業論文）　 要旨
  

平成14年度 (2002年)

• 小川　修一：『リアルタイムRHEED-AESによるSi極薄酸化膜形成過程の研究』（卒業論文）　 要旨
  

平成13年度 (2001年)

• 川和　拓央：『リアルタイムモニタリングRHEED-AES法によるSi熱酸化の研究』（修士論文）　 要旨
  

• 八木　貴之：『高温ダイヤモンド表面の電子状態の研究』（卒業論文）　 要旨
  

平成12年度 (2000年)

• 吉新　裕保：『ダイヤモンド気相成長の基礎過程の研究』（修士論文）　 要旨
  

平成11年度 (1999年)

• 浅野 光弘：『ダイヤモンド気相成長における電子放出の研究』（修士論文）　 要旨
  

• 石田　史顕：『RHEED-AES法によるSi熱酸化過程の研究』（修士論文）　 要旨
  

平成10年度 (1998年)

• 小杉 亮治：『3C-SiC/Siの初期へテロ成長機構の研究』（博士論文）　 要旨
  

• 金井 敏行：『シリコン表面の炭化反応の高温「その場」観察』（卒業論文）　 要旨
  

• 安田 智樹：『気相成長中のダイヤモンド表面からの電子放出の研究』（卒業論文）　 要旨
  

平成9年度 (1997年)

• 金 起先：『In-Situ Observation of Desorption and Diffusion Processes of In, Sb and Bi on High-Temperature Si Surfaces』（博士論文）　 要旨
  

• 西森 年彦：『ガスソース分子線エピタキシー法によるダイヤモンドの気相成長の研究』（博士論文）　 要旨
  

• 疋田 智弘：『GSMBE法によるダイヤモンド気相成長解析装置の製作』（修士論文）　 要旨
  

• 浅野 光弘：『電子刺激脱離法によるダイヤモンド表面の「その場」観察』（卒業論文）　 要旨
  

• 佐々木 成也：『RHEED-AES法によるSi表面の炭化過程の「その場」観察』（卒業論文）　 要旨
  

平成8年度 (1996年)

• 石田 史顕：『金属吸着Si表面の高温その場観察』（卒業論文）　 要旨
  

• 佐野 正浩：『ダイヤモンド気相成長解析装置の製作』（卒業論文）　 要旨
  

平成7年度 (1995年)

• 坂本 仁志：『SiH₂Cl₂ガスソース分子線エピタキシー法における表面反応素過程の研究』（博士論文）　 要旨
  

• 下敷領 文一：『RHEED-AES法による半導体へテロ界面のその場観察に関する研究』（博士論文）　 要旨
  

• 森 優治：『ガスソースMBE法によるダイヤモンド成長の研究』（修士論文）　 要旨
  

• 須山 智史：『高温Si表面のRHEED観察』（卒業論文）　 要旨
  

平成6年度 (1994年)

• 小野寺 正徳：『ガスソースMBEによるダイヤモンドの成長に関する研究』（修士論文）　 要旨
  

• 田中 洋彦：『高温Si表面上でのエッチングの「その場」観察』（卒業論文）　 要旨
  

平成5年度 (1993年)

• 堀江 哲弘：『シリコン熱酸化膜の構造に関する研究』（修士論文）　 要旨
  

• 森 優治：『分子線エピタキシー用蒸着源と水素ラジカル源の製作』（卒業論文）　 要旨
  

平成4年度 (1992年)

• 堀 仁一：『放射光励起シリコン単結晶薄膜成長に関する研究』（修士論文）　 要旨
  

• 佐藤 靖史：『紫外光励起水素を用いたシリコン気相成長に関する研究』（修士論文）　 要旨
  

• 飯田 仁：『GaAs硫黄保護膜形成と低温除去』（卒業論文）　 要旨
  

• 小野寺 正徳：『パルス状ガス導入による半導体薄膜成長』（卒業論文）　 要旨
  

• 竹村 浩：『高効率紫外光源を用いたシリコンの気相成長』（卒業論文）　 要旨
  

平成3年度 (1991年)

• Motaharul Kabir Mazumder：『Ultraviolet-Light Assisted Chemical Vapor Deposition of Si』（博士論文）　 要旨
  

• 二瓶 瑞久：『角度分解XPSによるSiO₂/Si界面の構造に関する研究』（修士論文）　 要旨
  

• 山口 哲二：『UPSによるSi薄膜成長の素過程に関する研究』（修士論文）　 要旨
  

• 藤田 真也：『GaAsへのオーミック接触形成に関する研究』（修士論文）　 要旨
  

平成2年度 (1990年)

• 堀 仁一：『シンクロトロン放射光励起シリコン薄膜結晶成長』（卒業論文）　 要旨
  

• 佐藤 靖史：『低温シリコン成長における欠陥発生』（卒業論文）　 要旨
  

平成元年度 (1989年)

• 野河 正史：『放射光によるシリコン表面の光刺激脱離に関する研究』（修士論文）　 要旨
  

• 二瓶 瑞久：『角度分解光電子分光法によるSi酸化膜／Si界面の構造』（卒業論文）　 要旨
  

• 山口 哲二：『紫外線光電子分光法によるシリコン薄膜成長素過程の解析』（卒業論文）　 要旨
  

昭和63年度 (1988年)

• 松吉 聡：『Ge/GaAsへテロ接合界面の固相反応の研究』（修士論文）　 要旨
  

• 大山 直樹：『シリコンヘテロ接合界面における構造の研究』（修士論文）　 要旨
  

• 藤田 真也：『表面構造解析法による半導体・金属へテロ界面の固相反応に関する研究』（卒業論文）　 要旨
  

昭和62年度 (1987年)

• Motaharul Kabir Mazumder：『Vapor Phase Epitaxial Growth of Silicon in an Excited Hydrogen Gas （励起水素中におけるシリコンの気相成長に関する研究）』（修士論文）　 要旨
  

• 高井 康浩：『Ge/GaAsへテロ界面の固相反応に関する研究』（修士論文）　 要旨
  

• 野河 正史：『シンクロトン放射光を用いた結晶成長の素過程の研究』（卒業論文）　 要旨
  

昭和61年度 (1986年)

• 三沢 繁樹：『角度分解型X線光電子分光法によるGe/GaAs界面の研究』（修士論文）　 要旨
  

• 松吉 聡：『X線光電子回折法による金属／GaAs界面の研究』（卒業論文）　 要旨
  

• 大山 直樹：『表面構造解析法による半導体ヘテロ接合界面の研究』（卒業論文）　 要旨
  

昭和60年度 (1985年)

• 齋藤 安正：『水素プラズマによるシリコンの気相成長』（卒業論文）　 要旨
  

• 高井 康浩：『レーザビーム加熱法による砒化ガリウムのオーミック接触形成』（卒業論文）　 要旨
  

昭和59年度 (1984年)

• 三沢 繁樹：『角度分解型X線光電子分光法によるGaAs表面の研究』（卒業論文）　 要旨
  

昭和58年度 (1983年)

• 橋田 由起夫：『プラズマ中におけるSiの気相成長』（卒業論文）　 要旨
  

• 谷田部 良久：『金属と砒化ガリウムの接触』（卒業論文）　 要旨
  

昭和57年度 (1982年)

• 高橋 勝徳：『Siの光エピタキシィ』（卒業論文）　 要旨