授業／研修／セミナー

表面ナノ物理計測制御学特論

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第1回　表面ナノプロセスの課題とリアルタイム計測の必要性

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第2回　リアルタイム計測の基礎と最先端：エネルギー・時間・空間分解能の極限化

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第3回　反射高速電子回折法の複合化（１）：RHEEDの測定原理、装置、適用例

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第4回　反射高速電子回折法の複合化（２）：化学組成の同時計測

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第5回　反射高速電子回折法の複合化（３）：リアルタイムRHEED-AESの特徴と適用例

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第6回　光電子分光の高速化（１）：光電子分光の基礎と特徴

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第7回　光電子分光の高速化（２）：光源、エネルギー分析器、検出器

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第8回　光電子分光の高速化（３）：リアルタイム光電子分光の特徴と適用例

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第9回　光電子分光の高ガス圧力化（１）：プロセス中の「その場」観察の必要性

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第10回　光電子分光の高ガス圧力化（２）：高圧XPSの特徴と適用例

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第11回　CMOSゲートスタック用絶縁膜の形成機構解明（１）：必要性と課題

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第12回　CMOSゲートスタック用絶縁膜の形成機構解明（２）：酸化誘起歪みとSiO₂/Si界面反応

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第13回　ナノ炭素材料の合成プロセス開発（１）：ダイヤモンド

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第14回　ナノ炭素材料の合成プロセス開発（２）：グラフェン

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第15回　ナノ炭素材料の合成プロセス開発（３）：カーボンナノチューブ

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